технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями

Номер пленки	R, темн. сопр. Ом.	V, В Т=20°С
V, В Т=196°С
11	1·10^1^2	28	108
18	3·10^1^2	40	120
46	4·10^1^2	96	450
51	1,4·10^1^2	45	230
74	6·10^1^2	280	1800

АФН- пленки из селена получены и исследованы в /63/. В наших опытах образцы кристаллического и порошкообразного селена получены при комнатной и низкой температуре. Нужно отметить, что V_АФН в пленках селена очень быстро падает (в течение 48 часов АФН-эффект исчезает).

§ 4. АФН-пленки из материалов А^II В^VI /3, 14/

Пленки CdTe. Методика изготовления АФН-пленок CdTe путем термического испарения описана в (80, 81,106,117 и др.) (см. гл. 1, § 1).
Пенсак и Голдстейн /81, 82/показали, что оптимальная область температуры подложек лежит в пределах 150÷200°С, при температурах подложки 250°С АФН-эффект отсутствовал, Любин В.М. и Федорова Г. получили более эффективные АФН-пленки из теллурида кадмия при ~300°С.
В работах /105, 106/АФН-пленка CdTe получена двумя способами. В первом случае необходимый материал испарялся из одного тигеля. Пленки второй группы получались одновременным испарением из двух тигелей CdTe и Cd. Температура подлошеи была 270°С.
Подробные исследования в технологическом и практическом аспекте проведены авторами работы /63, 74/. Показано, что при температуре ниже 100°С не возникает аномально высокого фотонапряжения.
Для более детального анализа и сопоставления параметров с параметрами новых АФН пленок были изготовлены пленки теллурида кадмия. Испарение порошкообразного материала (в некоторых случаях использован кристаллический CdTe) теллурида кадмия производилось из тигеля, покрытого окисью алюминия при температуре ~750°С. Давление остаточных газов в процессе напыления пленок CdTe было 10^-4÷10^-5 мм.рт.ст., угол напыления находился в пределах ~45°. Подложками служили стекло, кварц, LiF, NaCl и слюда. Толщина слоя находилась в пределах ~1 мкм.
Приведем табл.1.11 некоторых параметров АФН-пленок теллурида кадмия
Таблица 1.11