Радиоэлектроника асослари

Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar
Maydonli tranzistorlarning takomillashtirish natijasida ya’ni zatvori izolyatsiyalangan maydonli tarnzistorlar yaratildi. Ularda metalldan yasalgan zatvor asos qatlam kanaldan yupqa dielektrik modda bilan ajratilgan bo’ladi. Shuning uchun bu turdagi maydonli taranzistorlarni MDP (metal-dielektrik-poluprovodnik) tranzistorlar deb ham ataladi.
Ko’pincha dielektrik sifatida oksid materiallar(masalan kremniy oksidi Si₂O₂) ishlatiladi. Bu holda MOP (metal-oksid-poluprovodnik) tranzistorlar deb ataladi.
Bu turdagi tranzistorlarning asosini n yoki p-tipidagi yarimo’tkazgich plastinasi tashkil qilib unda qarama-qarshi yuqori o’tkazuvchanlikka ega 2 ta soha hosil qilinadi. Bu ikki sohaning biri istok ikkinchisi stok hisoblanadi. Istok va stok xuddi shunday o’tkazuvchanlikka ega yupqa qatlami bilan tutashtiriladi. Shu uchun yupqa qatlam kanal vazifasini bajaradi. Odatda kanalning uzunligi ̴ 1mkm bo’lib, kengligi ishchi tokka bog’liq holda 100mkm bo;lishi mumkin. Kanal yuzasi 0,1-0,2 mkm
Qalinlikdagi dielektrik qatlam bilan qoplanib, uning ustiga metal zatvor kontakti joylashgan. Bazida asos kristall plastinka alohida kontakt orqali istokka ulanadi. Bunday tranzistorlar xususiy kanalli yoki kanali hosil qilingan tranzistorlar deb ataladi.

Bu turdagi tranzistorlarning ishlash prinsipi quyidagicha: zatvorda kuchlanish nolga teng bo’lgan holatda istok va stok orasiga kuchlanish uzatilsa kanaldan tok o’ta boshlaydi. Bu tokni elektronlar oqimi hosil qiladi.
Agar zatvorga manfiy potensial berilsa hosil bo’lgan ko’ndalang elektr maydon ta’sirida kanaldagi elektronlar istok, stok va asos kristaliga siqib chiqariladi. Natijada kanaldagi asosiy zaryad tashuvchi kamayadi va kanal qarshiligi ortib chiqish toki kamayadi. Zatvordagi manfiy potensial qanchalik yuqori bo’lsa stok toki shunchalik kam bo’ladi. Tranzistorning bunday ish rejimi kambag;allashgan ish rejimi deyiladi.
Agar zatvorga musbat potensial berilsa, hosil bo’lgan maydon ta’sirida kanalga stok, istok va asos kristalidan elektronlar kela boshlaydi. Kanalda asosiy zaryad tashuvchilarning ko’payishi stok tokining ortishiga olib keladi. Tranzistorning bunday ish rejimi boyitilgan ish rejimi deyiladi.
MDP tranzistorlarning chiqish xarakteristikalari n-p o’tish orqali boshqariluvchi tranzistorlarning chiqish xarakteristikalariga o’xshaydi. Kanalga qo’yilgan U_ch kuchlanishni noldan boshlab kuchaytirib borilsa, dastlab Om qonuniga ko’ra chiqish toki kuchlanishga proporsional ravishta ortib boradi.

Keyin kuchlanish ma’lum bir qiymatga yetganda kanal, ayniqsa stok yaqinida toraya boshlaydi. Chunki kanal bilan asos kristal o’rtasidagi n-p o’tishda teskari kuchlanish orta boshlaydi. Natijada zaryad tashuvchilardan kambag’allashgan n-p o’tish sohasi kengayib kanal qarshiligi ortadi. Shunday qilib stok toki bir vaqtda ikki qarama-qarshi ta’sirga uchraydi. Bir tomondan Om qoniuniga ko’ra U_ch ning ortishi natijasida chiqish toki ortishi kerak, ammo ikkinchi tomondan kanal qarshiligini ortishi hisobiga tok kamayadi. Natijada chiqish to’ki toki elektr buzilishi ro’y bergunga qadar o’zgarmaydi.
Maydonli tranzistorlarning asosiy afzalliklari: o’lchamlari kichikligi, kirish qarshiligining kattaligi, harorat o’zgarishi va radioaktiv nurlarga chidamliligidir.