3.7. Биполяр транзисторларнинг эквивалент схема ва параметрлари
Радиоэлектрон қурилмаларнинг иши уларнинг эквивалент схемалари ёрдамида текширилади. Лекин цурилманинг эквивалент схемасини тузиш учун унда қатнашувчи транзисторнинг эквивалент схемасини билиш керак.
ида ҳосил бўладиган диоднинг тескари ўтиш қаршилиги, Rб эса, база қатламн кристалининг қаршилигидир. Бу қаршиликлар дифференциал, яъни транзисторнинг ўзгарузчан токка бўлган қаршилигидир.
Еэкв—эквивалент генераторнинг электр юритувчи кучи бўлиб, у эмиттер токининг коллектор занжирига бўлган таъсирини ифодалайди. Шунинг учун бу генератор ҳосил қиладиган ток эмиттер токи йўналишида бўлади (Еэкв нинг қутбланиши шунга мос танланади). Коллектор токи эмиттер токн билан αIэ кўринишда боғланганини ва коллекториинг қаршилиги Rк эканини ҳисобга олсак, эквивалент генераторнинг ЭЮҚ қуйидагича ифодаланади:
Еэкв= αIэRк=IэRм Бунда Rм = αRк — эквивалент генераторнинг ички қаршилиги бўлади. Лекин у ташқи занжирга уланган бўлгани учун генераторнинг ички қаршилиги нолга тенг деб ҳисобланади.
3.18-расмда тасвирланган эквивалент схемалар учун Кирхгоф тенгламаларини ёзайлик.
УБ СХЕМА УЧУН (3.18 а-расм):
(3.20)
УЭ СХЕМА УЧУН (3.18 б-расм):
(3.21)
(3.21) сиетеманинг иккинчи тенгламасидаги Iэ токми (3.9) тенглик оркали ифодаласак, у қуйидчги кўринишга келади:
Натижада транзисторнинг УЭ схемаси 3.19-расмда тасвирлангаи эквивалент схема кўринишига ўтади.
3.19-расм. Транзмсгспнмнг УЭ 3.20- расм.Тўрт қутблн уланил учун эквивалент схемаси. система. Ундаги Rк—Rм қаршилик коллектор занжиридаги Rм қаршиликни алмаштирса, эквивалент генератор (Еэкв) Е1экв = Rм·I6 билан алмаштирилади.
УК СХЕМА УЧУН (3.18в-расм):
(3.22)
Уччала уланиш схемасида триод иккита кирнш ва иккпта чиқиш клеммаенга эга. Уларнн умумлаштириб тўрт қутблн система (3.20-расм) деб қараш мумкин. Унда манбалар ҳам қатнашгани учун у актив тўрт қутб- ли система буладн.
Тўрт қутбли система назарияси чизиқли занжирлар учун ўринлидир. Аммо ярим ўтказгичли триод чизиқли бўлмаган элемент бўлиб, таъсир қилувчи сигнал амплитудаси ортиши билан унинг чизиқли эмаслик хусусияти ортиб боради. Шунинг учун кўраётган ҳолимизда транзисторни чизиқли элемент деб қараш учун таъсир этувчи сигнал амплитудасини етарлича кичик деб ҳисоблаймиз, яъни транзисторнинг ишчи соҳаси қилиб вольтамиер характеристикасининг фақат тўғри чизнқли қисми олинган деб фараз қиламиз.
Тўрт қутбли системаларни ўрганишда асос қилиб унинг кирнш ва чиқиш катталиклари орасидаги боғла- нишни ифодаловчи тепгламалар системаси олинади. Улар турлича бўлиши мумкин. Масалан, эркин ўзгарувчанлар қилиб ток кучлари олинган хрлда, у қуйидаги боғланиш орқали ифодаланади:
(3.23)
Бундан кириш ва чиқиш кучланишларининг тўлик; дифференциалини аниқлайлик:
(3.24)
Бунга белгилаш киритамиз:
(3.25)
Унда (3.24) ифода қуйидаги кўринишга келади:
(3.25)
, , , ва транзисторнинг — параметрлари деб аталади ва қаршилик. ўлчамига эга бўлади. Умуман олганда, улар комплекс катталиклардир, яъни = R + jX. Лекин тўрт қутблига таъсир этадиган тебрапишнинг частотаси кичик бўлса, X реактив қисмнинг таъсирини ҳисобга олмаслик мумкин. Бунда транзисторнинг R — параметрлари ҳосил бўлади.
R — параметрлар тўрт қутблининг кириш ёки чнқиш занжири узуқ бўлган ҳол учун аниқланадн. У ҳолда кучланиш ёки токнинг тўлиқ дифферснциалларинн уларнинг амплитуда қийматла;ри орқали алмаштириш мумкин:
тўрт қутблининг кириш занжири узуқ бўлгандаги чи- қиш қаршилиги деб аталади.
Шунга кўра тўрт қутблининг кичик частоталар со- ҳасидаги тенгламаси қуйидагича бўлади:
(3.27)
Arap (3.27) системани (3.20)÷(3.22) тенгламалар билан солиштирсак, транзисторнинг уч хил уланиши учун R — параметрларининг ифодаси хосил бўлади. У 3.1- жадвалда кўрсатилган.