Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

7.11. Униполяр транзисторда тузилган транзисторли мантиқий схемалар
Биполяр транзисторлардан фарқли, униполяр тран­зисторнинг кириш ва чиқиш қаршиликлари етарлича катта қийматга эга. Бу, бир томондан, униполяр тран­зисторли мантиқий схеманинг боғланиш занжирларида конденсатор, резистор, диод каби элементларни ишлатмаслик, иккинчи томондан, кўпроқ сондаги мантиқий элементларни бир-бирига туташтириш, яъни мантиқин схеманинг тармоқланиш коэффициентини орттириш имконини беради. Ундан ташқари, мантиқий схемаларнинг нагрузкаси бўлиб ҳам униполяр транзистор хизмат қилади. Буларнинг барчаси мантиқий интеграл, микросхе­ма ясаш технологиясини соддалаштиради ва интеграл- ланиш даржасини оширади.
Униполяр транзисторли мантиқий схемаларда МДП — таркибли ёки қўшма (комплементар) таркибли (р ва п каналли қўшалоқ) транзисторлардан фойдалапиладп. МДП — таркибли транзисторда тузилган мантиқнй схе­малар МДПТЛ мантиқий схема деб, қўшма транзис­торли мантиқий схема КМДПТЛ мантиқий схема деб аталади. Уларда мантиқин элементлар п — каналли МДП — таркибли транзисторларда тузилади, чункн улар р—каналли транзисторларга нисбатан юқорироқ тезкорликка эга бўлади.
Креминийли микросхемаларни ишлаб чиқаришда ди­электрик сифатида кремний оксидн (SiО₂) ишлатилганн учун униполяр транзисторли мантиқий схема МОПТЛ ёки КМОПТЛ мантиқий схема деб аталадн. Униполяр транзисторли мантиқий схемаларда бошқарувчи тран­зисторлар кетма-кет ва параллель уланиши мумкин. Транзисторлари параллель уланган мантиқий схемалар ЁКИ — ЙЎҚ амалини, кетма-кет улангаплари эса, ВА— ЙЎҚ амалини бажриш учун хизмат қилади.
7.16-расмда соддалаштирилган МДП транзистор таркибли мантиқий схема тасвирланган.

7.16-расм. МДП транзисторда тузилган мантнқин схемалар: а—параллел (ЁКИ-ЙЎҚ), б — кетма-кет (ВА- ЙЎҚ).


Унда T₁ ва Т₂ транзисторлар мантиқий элемент, Т₃ транзистор эса, нагрузка резистори вазифасини бажаради. Мантиқий элементлар параллель уланган ҳолда (7.16а-расм) бирор транзисторнинг очилиши нагрузкадан ўтувчи токнинг ҳосил бўлишига ва чиқиш кучланишининг сатҳи пасайи- шига олиб келса, кетма-кет схемада (7.16 б-расм) барча мантиқий транзисторларнинг очилиши шарт.
7.16а-расмда кўрсатилган схемада мантиқий транзисторларга берилган кучланиш затвор кучланишининг остонавий қиймати U_зп дан кичик бўлса (U₁ = U°зп), T₁ ва Т₂ транзисторлар ёпиқ бўлади (U_зп — канал ҳосил бўладиган кучланишдир). Сток токлари нолга тенг бўлгани учун Т₃ транзисторнинг сток токи ҳам нолга тенг бўлиб, чиқиш кучланиши Е_с қийматга тенг бўлади. Бу мантиқий «I» ҳолатга (U₂ = U¹) тўғри келади.
Агар киришлардан бирортасига затворнинг остона­вий кучланиши U_зп дан каттароқ (U₁ = U¹) кучланиш берилса, мос мантиқий транзистор очилади. Унинг сток токн таъсирида сток кучланиши остонавий кучланишдан кичпкроқ қийматга эришади. У мантиқий «О», яъни U° кучланишга тўғри келади.
Шуни айтиш керакки, МДП — транзисторли манти­лий схемаларнинг тезкорлигига схеманинг зарарли чиқиш сиғими С_н кучли таъсир этади. Нагрузка элементларининг ортиши билан бу сиғимнинг зарядланиш вақт доимийси ортади ва схеманинг тезкорлигини камайтиради.
Комплементар транзисторли мантиқий схемаларда каналининг бир тур ўтказувчанликли транзисторлари параллель уланганда иккинчи тур ўтказувчанликка эталари кетма-кет уланади. Мантиқий транзисторлари па­раллель уланган схеманинг нагрузкаси кетма-кет уланган транзисторлардан ташкил топади ва ЁКИ-ЙЎҚ амалини бажаради. Аксинча, мантиқий элементлари кетма-кет, нагрузкаси параллель уланган транзистор­лардан ташкил топган схемада ВА-ЙЎҚ амали бажарилади. Улар 7.17- расмда кўрсатилган.