Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

7.11-расм. РТЛ (а) ва РЕТЛ (б) турдаги транзисторли мантиқ схемаси.


Бунда РТЛ (РБТМ)—резистор боғланишли транзисторли мантиқ схемаси ҳосил бўлади. Унинг ишлаш услуби бевосита боғланишли транзисторли мантиқ схемасиникидан фарқ қилмайди. Лекин унннг тезкорлиги суст бўлади. Бунга транзисторлариинг база — эмиттер оралиғида ҳосил бўладиган зарарли сиғимлар сабаб бўлади. У 7.11, а-расм­да пунктир чизиқ билан кўрсатилган. Кириш сигнали таъсир этганда С_п зарарли конденсатор R_б резистор орқали зарядлана бошлайди. Агар заряд занжирининг вақт доимийси кириш сигналининг давом этиш вақтидан кат­та бўлиб қолса, у сигнал шаклининг бузилишига, тран­зистор очилиш муддатининг узайишига ва схеманинг тезкорлиги пасайишига олиб келади. Бу камчиликлардан қутулиш учун R_б резисторлар С_б конденсаторлар билан шунтланади. (7.11 б-расм). Бунда ҳосил бўладиган схема РЕТЛ (РСБТМ)—резитив — сиғим боғла- нишли транзисторли мантилий схема деб аталади. Киритилган шунтловчи С_б конденсаторлар тезлатгич кон­денсатор дейилади. Қайта уланиш (кучланиш сакраши) юз берганда улар R_б резисторларни шунтлайди, яъни қисқа туташтириб таъсирини йўқотади. Шунинг учун С_п зарарли сиғимларнинег зарядланиш вақт доимийси кескин кичраяди. Натижада транзисторларнинг ёпиқ ҳолатдан очиқ ҳолатга ва аксинча, ўтиш вақти етарлича қисқаради.


7.8. Диод боғланишли транзисторли мантиқий схема


Диод боғланишли транзисторли мантнқий (ДТЛ) схеманинг содда тури 7.12-расмда кўрсатилган.

7.12-расм. ДТЛ турдаги мактиқий схема
У иккита мантиқий схемадан ташкил топган. Уларнинг биринчиси D₁, D₂, D₃ диодлар ва R резистордан ташкил топ­ган бўлиб, кўпайтириш (ВА) амалини бажарса, иккинчиси инкор (ЙЎҚ) амалини бажарадиган Т транзисторда тузилган инвертордир. Бинобарин ДТЛ ВА-ЙЎҚ амалини бажарадиган мантиқий схема экан. Схемадаги D₄ ва D₅ диодлар мантиқий амал бажармайди. Улар Т транзисторнинг базасида силжитиш кучланишини ҳосил қилиш учун хизмат қилади ва силжитиш диодлари деб аталади.
Агар Х₁, Х₂, Х₃ киришлардаги кучланиш мантиқий «О» (U°) га тенг бўлса, Ди Д₂ ва Д₃ диодлар очиқ бўлиб, Е манбанинг тўлиқ токи I улардан ўтади. Чунки Д₄ ва Д₅ силжитиш диодларидан деярли ток ўтмайди. Сабаби уларнинг қаршилиги R_б резистор билан бирга очиқ диоднинг қаршилигидан етарлича катта бўлади. Шунинг учун «Т» транзистор тўлиқ ёпиқ ҳолатда туради. (Е_б манба база — эмиттер ўтишини ёпади). Шунинг учун чиқиш кучланиши Е_к манба кучланишига тенг (I_к-0), яъни мантиқий U¹ кучланиш қийматига эга.
Агар барча киришларга юқори сатҳли U¹ кучланиш бир вақтда таъсир этса, уччала кириш диоди ёпилади ва Е манбанинг токи Д₄ ва Д₅ диодлар орқали R_б резисторга, яъни база занжирига ўтади. R_б резистордаги потенциал тушуви база — эмиттер оралиғига тўғри йўналишдаги кучланишни ҳосил қилади вa U_кз>>|E_б| бўлганда Т транзистор очилиб, тўйиниш режимига ўтади. Натижада 1_к коллектор токи бирдан ортади ва R_к резистордаги потециал тушуви чиқиш кучланишини мантиқий «О» гача (U° кучланишгача) камайтиради. Бунда киришлардан бирортасига U° кучланиш таъсир этса, мос диод очилиб, уччала диод очиқ бўлгандаги ҳол такрорланади ва чиқиш кучланиши U¹ қийматга эришади. Шуни айтиш керакки, кўрилган схема катта бирлашиш коэффициентига (К_б 8÷10), етарлича юқори мантиқий ўтиш ΔU_^ га ва чиқиш кучланишининг турғунлигига эга. Лекин чиқиш қаршилиги иш давомида тез ўзгаради: транзистор ёпиқ бўлганда катта, очилганда—кичик бўлади. Бу унинг нагрузкага чидаш қобилияти — тармоқланиш коэффициенти (К_т) ни кичрайтиради. Ундан қутилиш учун мураккаб инверторли схемага ўтилади.