Quyosh elementlari va batareyalarining fizikaviy asoslari

Kimyoviy ishlov berish. Bu texnologik jarayon davomida asosan yarimo’tkazgichli materiallar yuzasiga ta’sir qilinadi va ular qatoriga kimyoviy va mexanik sayqal berish, kimyoviy tozalash va kimyoviy yemirish jarayonlari kiradi.
Ishlov berish tartibi quyidagilardan iborat: taglikka o’rnatish, yuvish va shliflash. Sayqallash jarayoni quyidagi tartibda olib boriladi. Avvaliga namuna taglikka o’rnatiladi, keyin shlifovka jarayonida ishlatilgan dastgohga yoki alohida dastgohga yumshoq matoh (M: baxmal, zamsh, batist, satin va shunga o’xshashlar) tortiladi. So’ngra namuna matohga ma‟lum bosim bilan yarimo’tkazgichli material kontaktga keltiriladi va ma‟lum tezlikda aylantiriladi 60 – 100 ayl/min. Matoh bilan namuna orasiga tarkibida olmos bo’lgan suspenziya (olmos pastalar asosida tayyorlangan quyuq massa) quyiladi. Ishlatiladigan asosiy olmos pastalar markalari ASM 3, ASM 1. va hokazolar. Ishlov berish sifati va darajasi optik mikroskop yordamida nazorat qilinadi. Kimyoviy yemirish jarayoni. Yarimo’tkazgichli materiallar sirtida mexanik ishlov natijasida hosil bo’lgan deformatsiya bo’lgan qatlamlarni sof yuza chegarasigacha olib tashlash uchun ishlatiladi. Ayrim hollarda yarimo’tkazgich qalinligini kamaytirishda ham ishlatiladi. Kimyoviy yemiruvchilar uch turga bo’linadi: 1. Selektiv (tanlovchi) yemiruvchilar. Bular yordamida kerakli ma‟lum kristallografik yo’nalishdagi yuzalarni, sirtlarni chiqarish mumkin. 2. Sayqallovchi yemiruvchi. Bu izotropik, ya’ni har xil yo’nalishda o’zgarmas ma‟lum yemirish tezligiga ega bo’lgan yemiruvchi. 3. Noselektiv yemiruvchi. Bu yemiruvchi material yuzasini nisbatan sayqallaydi va yuzada notekisliklar ham hosil qiladi. Yemiruvchilar tayyorlash uchun ximikatlar ularning tozaligiga qarab tanlab olinadi. Ximikatlar tozaligiga qarab quyidagi turlarga bo’linadi. Τ – texnik toza, XCh – ximiyaviy toza, ChDA – analiz uchun toza, OSCh – alohida spektral toza. Keyingi texnologiya – Quyosh elementi tuzilmalariga omik kontaktlar olish texnologiyasi. Agar yarimo’tkazgich va metall orasidagi kontaktning volt – amper xarakteristikasi noldan boshlab kuchlanishning katta qiymatlariga teng kT largacha (V>>kT) chiziqli xususiyatga ega bo’lib, tok kuchini qarama – qarshi tomonga o’zgartirilganda ham bu qonuniyat saqlansa, kontakt omik deb hisoblanadi
Omik kontaktga qo’yiladigan talablar. Omik kontakt quyidagi xususiyatlarga ega bo’lishi shart: a) katta elektr o’tkazuvchanlikka; b) yuqori issiqlik o’tkazuvchanlikka; c) mexanik mustahkamlikka. Quyosh elementlariga kontakt olish jarayonining o’tkazilish tartibi quyidagicha amalga oshiriladi: – Si p – n tuzilmasini kontakt olishga tayyorlash (kimyoviy yoki kimyoviy – mexanik usul bilan kontakt olinadigan yuzani tozalash); – strukturaga fotorezist o’tqazish; – fotoshablon yordamida kontakt rasmini tushirish; – fotorezistni mustahkamlash; – vakuum qurilmasidan foydalanib ketma – ketlik bilan kontakt materiallarini uchirish; – kontakt adgeziyasini yaxshilash uchun kontaktga issiqlik bilan ishlov berish; – fotorezistni yuzadan olib tashlash; – kontakt kesim yuzasini oshirish uchun qalaylash; – frontal yuzadan nur qaytarishini kamaytirish uchun uni oksid bilan qoplash; – Quyosh elementi tuzilmasidan shunt beradigan qismlarni kesib olib tashlash; – Quyosh elementining parametrlarini o’lchash.