T oshkent axborot texnologiyalari universiteti

O’QUV-USLUBIY MAJMUA FIZIKA 
––––––––––––––––––––––––––––––{ 416 }–––––––––––––––––––––––––––––– 
kontaktda bo‘lsin. Agar 
bo‘lsa, u holda yarim o‘tkazgichdan metallga, 

m
va 

n
- 
ximiyaviy potentsiallar tenglashmaguncha, elektronlar oqib o‘tadi, undan so‘ng metall va 
yarim o‘tkazgich orasida muvozanat holati o‘rnatiladi. Metall va yarim o‘tkazgichlar 
chegarasida
V
k
– kontakt potentsiallar farqi hosil bo‘ladi, uning qiymati ham 
taxminan 
atrofida bo‘ladi. 
 
5-rasm. Metall – yarim o‘tkazgich kontaktida yopuvchi qatlamning hosil bo‘lishi 
Bu potentsiallar farqi hosil bo‘lishi uchun metall - metall kontaktiga o‘xshash yarim 
o‘tkazgichdan metallga 
elektronlar oqib o‘tishi kerak. Yarimo‘tkazgich kristall 
panjarasi parametri 
ga teng, undagi elektron gaz kontsentratsiyasi 
n = 10
21
m
-3
ga 
teng. Yarimo‘tkazgich sirtidagi kontsentratsiya 
m
-3
elektronlarni tashkil etadi. 
Shuning 
uchun 
m
-3
elektronlarni 
yetkazib 
berish 
uchun 
10
3
ta 
yarimo‘tkazgichning atom qatlamlari elektronlardan xoli bo‘lishi kerak. 
Shunday qilib, metall – yarimo‘tkazgich kontaktida kontakt potentsiallar farqi 
d ~ 
5·10
3
A
0
= 5·10
-7
m
qalinlikni egallaydi. Bu qatlamda qolgan ionlashgan kirishmalar atomlari 
qo‘zg‘almas hajmiy musbat zaryadlarni hosil qiladi. 
5·10
-7
m
qalinlikdagi qatlam deyarli 
erkin elektronlarga ega bo‘lmagani uchun uning qalinligi elektronlarning erkin yugurish 
yo‘lidan sezilarli katta bo‘ladi, shu sababli, juda katta qarshilikka ega bo‘ladi. Bu qatlam 
yopuvchi qatlam
deb ataladi.