Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
443 
Как видно из рисунка в области низких температур (
T

30 К) в 
образцах, где наблюдается максимальное значение ОМС при 
Т
=300 К, в 
зависимости намагниченности от магнитного поля имеет гистерезисный 
характер, свидетельствующий о ферромагнитном состоянии кремния с 
нанокластерами (рис.2). 
Однако в образцах 
n
-Si не были обнаружены такие явления. 
Установлено, что ферромагнитное состояние кремния с нанокластерами 
атомов марганца с ростом температуры ослабляется, а при 
T
~40 К 
практически исчезает. Экспериментально показано, что с ростом 
температуры температурная зависимость намагниченности образцов кремния 
с магнитными нанокластерами (Mn)
4 
практически линейно уменьшается.
Полученные 
экспериментальные 
результаты 
показывают, 
что 
формирование магнитных нанокластеров атомов марганца существенно 
влияет на магнитные свойства кремния. Управляя концентрацией таких 
кластеров в области 
T
=230÷330 K можно обнаружить аномально высокое 
ОМС. В области низких температур 
Т
<40 K кремний с магнитными 
нанокластерами переходит в новое фазовые состояние, т.е. в ферромагнитное 
состояние. Обнаруженный эффект ферромагнетизма в 
p
-Si в области 
температур 
T
<50 может быть объяснен переориентацией спинов 









10
2
5
4
S
магнитных нанокластеров (Mn)
4
, обладающих существенным магнитным 
моментом. Таким образом, полученные результаты показывают, что кремний 
с магнитными нанокластерами является новым материалом для современной 
спинтроники. Наличие обнаруженных эффектов именно в кремнии, как нам 
кажется, существенно увеличивает вероятность использования таких 
материалов в современной электроники и открывает новые перспективы в 
области спинтроники. 
Литература 
[1].
Болтакс Б.И.. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. 
Л.: Наука, 1972. с.384.
[2].
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. 
М.:, 1977,
[3].
Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O., Spin Resonance of 
Deep Level Impurities in Germanium and Silicon // J. Phys. Chem. Solids, 1959, 
vol. 8, p. 490. 
[4].
Kreissl J., Gehlhoff W., Electron Paramagnetic Resonance of the 
0
4
Mn
Cluster in Silicon // Phys. Status. Solidi B, 1988, vol. 145, p. 609. 
[5].
Абдурахманов Б.А., Аюпов К.С., Бахадырханов М.К., Илиев 
Х.М., Зикриллаев Н.Ф. Сапарниязова З.М. Низкотемпературная диффузия 
примесей в кремнии // Доклады АН РУз, 2010, № 4, с. 32-36. 

---