Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
442 
-60 
0,6 0,8 1,0 1,2
22
22
22
22 
1,4
6 
1,6 1,8 2,0 
В
, Тл 
-100 
-140 
-180 
-220 
-260 
-300 
%
,



4 
3 
1 
2 
-20 
Рис. 1. Зависимость магнетосопротивления от магнитного поля в 
образцах с различной концентрацией магнитный нанокластеров при
 Т
=300 К, 
Е
=100 В/см:
1-N
(Mn)4
=5

10
13
см
-3
, 2- N
(Mn)4
=2

10
14
см
-3
, 3- N
(Mn)4 
=5

10
14
см
-3
, 4- N
(Mn)4 
=10
15
см
-3
. 
Значение ПМС достаточно слабо зависит от температуры и составляет 
%
10)
(6
~




. С повышением температуры 
Т
>300 K, значение ОМС так же 
уменьшается и при 
Т
=340-345 
К происходит инверсия знака 
магнетосопротивления. 
Намагниченность таких образцов в области низких температур,
исследовалась на установке СКВИД – магнетометр. Результаты исследования 
зависимости намагниченности от магнитного поля в образцах кремния с 
различной концентрацией нанокластеров атомов марганца представлены на 
рис.2. при температуре 
T
=30 К.
N
(Mn)4 
=10
15
см
-3
Рис.2. Зависимость намагниченности кремния с различной 
концентрацией нанокластеров атомов марганца от магнитного поля 
(гистерезис). 
Т
=30 
К 

---