Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
397 
3) очень высокая чувствительность и/или обнаружительная 
способность (тепловизоры с ФР на InSb позволяют по ИК излучению 
регистрировать разность температур в 0,01 °С). 
Недостатки ФР: 
1) высокая инерционность (низкая полоса пропускания), 
2) низкая температурная стабильность, которая вызывает аддитивные 
погрешности и необходимость работать на переменном токе, 
3) нелинейные световые и вольтамперные характеристики.
Работа фотодиода (ФД) основана на явлении внутреннего фотоэффекта 
в полупроводниках. Простейший ФД — это освещенный р-п переход, в 
котором при засветке световым потоком генерируются пары носителей
электрон-дырка, которые диффундируют в область р-п перехода и вызывают 
фото-ЭДС и фототок в замкнутой цепи.
Направление фототока совпадает с направлением обратного тока
через р-п переход (рис. 4, а). Этот режим работы ФД называется 
фотогальваническим режимом. При наличии внешнего обратного 
напряжения при изменении освещенности меняется обратный ток через р п 
переход (рис. 4, б), что соответствует фотодиодному режиму работы.
Фотоэлектрическая компонента I
ф
наиболее сильно проявляется в 3
м и 4-м квадрантах ВАХ (рис. 5). Как отмечалось, фотодиод может работать 
в двух режимах: фотогальваническом или генераторном режиме (без
подачи внешнего напряжения) и фотодиодном (при подаче внешнего
напряжения обратной полярности). 
Рис. 4. Режимы работы ФД: а — фотогальванический; б — 
фотодиодный 
Фотогальванический режим соответствует работе ФД в 4-м квадранте, 
где можно выделить 2 предельных режима работы: 
1) режим, близкий к короткому замыканию (режим КЗ), 
2) режим, близкий к холостому ходу (режим XX). 
В режиме КЗ Uд 
_
>
0, ток I 
фд
оказывается пропорционален световому
потоку. Эта пропорциональность (линейность) простирается на 6-7
порядков. Режим, близкий к КЗ, достаточно просто реализовать на ОУ,
включенном по схеме преобразования «ток- напряжение» (рис. 6, а), для 
которого, как изве стно, R
вх
_
>
0; U
вых
= Iфд * Roc. Схема рис. 6, а носит
название трансимпедансного усилителя, который позволяет за счет 

---