Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЯ ЛЮКСМЕТРА 
ФОТОРЕЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ
КРЕМНИЯ С НАНОСТРУКТУРАМИ 
 
С.С. Насриддинов, Ш.Н. Ибодуллаев, М. И. Маннанов, К.К, 
Курбоналиев, Д. Абдуллаева,
 
С.Й. Махмудов,
Ш.Ж. Каршиев, Б.Рустамов
Ташкентский государственный технический университет, 100095, Узбекистан, Ташкент, ул. 
Университетская 2 
e-mail: 
[e-mail]
 
В настоящее время нет ни одной отрасли науки и техники, где не 
применялись бы фоторезисторы (ФР) [1]. Для большинства полупроводников 
с собственной проводимостью ∆Eз примерно равно 1-2 эВ, чему 
соответствует значение длины волны красной границы λ ≈ 1,2…0,6 мкм, у 
примесных полупроводников энергия ионизация существенно меньше. Для 
чистого кремния (Si) ∆Eз=1,05 эВ, при формировании примесных уровней 
Мn величина энергии ионизация (∆E), соответственно, снижается до 
E
1
=
E
C
-
0,27, 
E
2
=
E
C
-0,5 eV [2 ]. Благодаря такой малой энергии ионизация примесные 
полупроводники пригодны для регистрации инфракрасного излучения с 
длиной волной вплоть до 8 мкм [3], а с помощью специальных методов и для 
более длинноволновой области спектра.
В данной работе приводятся экспериментальные результаты по 
исследованию световых вольт-амперных характеристик фоторезисторов на 
основе
 
кремния с нанокластерами атомов марганца, позволяющие 
разработать достаточно чувствительные люксметры. Экспериментальное 
исследование световой характеристики ФР кроме самого объекта – ФР 
требует источника излучения, приборов контроля его световых и 
электрических параметров, амперметра (Щ-300) и вольтметра, двух 
регулируемых источников электропитания. Для исключения влияния 

---