Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕРМОДАТЧИКИ 
 
Алиев Б.У., Умарходжаева З.Н., Хидиров Ж.А., Рустамов Б.А. 
Ташкентский государственный технический университет 
Первое явление характерно для полупроводниковых термодатчиков, 
изготовленных из ковалентных полупроводников (кремний, германий, 
карбид кремния, соединения типа А
III
В
V
и др.). Отрицательный 
температурный коэффициент сопротивления таких полупроводников 
наблюдается в областях температур, когда не все примеси ионизованы или 
имеет место собственная электропроводность. И в том, и в другом случае 
зависимость удельного сопротивления полупроводника определяется в 
основном изменением концентрации носителей заряда, так как относительно 
слабым изменением их подвижности в данном случае можно пренебречь. 
При этом зависимость сопротивления полупроводника от температуры 
определяется выражением 
 
T
B
exp
R
R


, (1)
 
где В – коэффициент температурной чувствительности; R

- постоянная 
характеризующая материал и размеры полупроводникового термодатчика.
 
При неполной ионизации примесей и отсутствии компенсации
 
2k
п
ΔЭ
В

,
 
где 

Э
П
– энергия ионизации примеси (доноров или акцепторов).
 
Для компенсированного полупроводника при неполной ионизации 
примесей
 
k
п
ΔЭ
В

. (2)
 
Для случая собственной электропроводности 
 
2k
ΔЭ
В

,
 
где 

Э – ширина запрещенной зоны.
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar