Davlat universiteti

Qotishmali diffusion tramzistorlar.
Bu xildagi tramzistorlar qotishmali 
texnologiyani diffusion qo shgan holda olib boradi. Bunda indiy-surma bilan 
‟
yarimo tkazgich plastina sirtiga joylashtirib qizdiriladi. Bunda bo lakni suyultirish 
‟
‟
natijasida electron o tish hosil bo ladi. Biroq yuqori tranzistorlariga bir vaqtni 
‟
‟
o zida erish jarayonidan tashqari diffuzia ham ketadi. Ya ni elektrondan diffuzis 
‟
‟
kristall biri- 
 akseptor
ikkinchisi esa 
 donor
kirishma vazifasini boshqaradi. Ular 
kristall qolipligi bo yicha 
‟
har xil chuqurlikka diffuziolanadi va notekis 
taqsimlangan p-turdagi baza hosil bo ladi. Kollektor sifatida p-turdagi germaniy 
‟
plastinka xizmat qiladi. (2-rasm
.
) 

---

 
2-rasm. Qotishmali diffusion transistor 
Baza soxasi orqali asosiy bo lmagan zaryadlarni ko chishi, asosan elektr
‟
‟
maydon dreyfi bilan amalga oshirilgani uchun, bunday tremzistorlarni 
dreyf
trenzistorlar
deyiladi. Dreyf tranzistorlarni baza kamligi 0.5-1m km bo lganligi 
‟
uchun ularni chegara chastota 500-10.000m 9 ga yetadi. Bu tranzistorlarda 
kamchilik emitterda ta siri kuchlanishni kichikligi va katta quvvatli tranzistorlarni 
‟
ishlab chiqarishni qiyinligidir.
Diffuzion planar tranzistorlar. 
Bu ko rinishdagi tranzistorlarni tayyorlash 
‟
kremniy oksidini olib, unda ochilgan parada tirqishlar orqali kirishma 
atomlarining diffuziya usulida foydalaniladi. Texnologik amallar ketma-ketligi
3-rasmda ko rsatilgan.
‟

---

3-rasm. Diffuzion planar tranzistorning olininshi 
Planar tranzistorni tayyorlash uchun n-turdagi kremniy olinib nihoyasida 
kollektor vazifasini o taydigan plastinka oldin suv bug i yoki kislorod muhitiga 
‟
‟
joylashtirilib sirtida zich parda Si O
2 
hosil qiladi. 3-rasm a) Fotolitografiya 
usulida parda tirqish, 3-rasm, b) hosil qilinib u orqali akseptor bor diffuziya 
qilinadi. 3-rasm v) Bunda plastinkaga p-tur baza qatlami hosil bo ladi. Shu 
‟
jarayon vaqtni o zida oksidlanish yuz beradi.Hosil bo lgan oksid pardadan yana 
‟
‟
tirqish 3-rasm, g)ochilib u orqali pardadan donor-fosfor kamroq chuqurlikka 
diffuziya qilinadi. Natijada “n” Qturdagi emitter qatlam hosil bo ladi.3-rasm,d) 
‟
Keyin yana hosil bo lgan Si O
‟
2 
qatlam hosil bo ladi va yediriladi.3-rasm, e) 
‟
Kontaktlar purkaladi va termobosim usulida chiqqichlar ulanadi.3-rasm, j) nihoyat, 
diffusion –planar transistor tuzilmasining umumiy ko rinishi 
‟
4-rasmda 
ko rsatilgan.
‟

---