Davlat universiteti

 

---

Epitaksil- planer
tranzistorlarda kollektor ikki qatlam yuqoriligi
bazaga tutashuvchi va kichikomli 
kontaktiga 
tutashuvchi 
bo ladi. 
‟
Tranzistorlarda kichikkomli elektromli epitaksial qatlam o stirish bilan olinadi.
‟
Kichik omli taglik n
Q 
kollektor sohasini hosil qiladi. Baza va emitter 
sohalar SiO
2
larda tirqish orqali ikkilanma diffuzia usulida tayyorlanadi.Natijada 
n
Q 
-p-n-n
Q 
hajmiy qarshiligi kichik epitaksil kollektor sohasining kichik “C” 
sig imi va kollektor o tishi darajada yuqori teshilish kuchlanishga ega bo lgan 
‟
‟
‟
dreyf transistor olinadi 7-rasm. 
7-rasm. Epitaksial planar transistor tuzilishi
Hozirgi vaqtda ishlab chiqarishda asosan qo sh qutbli tranzistorlarni meza-
‟
planar 
va 
epitaksial-planar 
texnologik 
usullardan 
foydalanilmoqda. 
Mikroelektronikada transistor tuzilmalarini olishning oxirgi texnologiyasi keng 
qo llanilmoqda. 
‟
Har qanday yarimo tkazgichli 
‟
asbobni tayyorlashda yarimo tkazgich 
‟
materialning parametrlarga talab qo ygan holda amalga oshiriladi.
‟
Undan so ng asbobni qo llanish talabga ko ra tranzistorni tayyorlashda 
‟
‟
‟
operatsiyalar ketma-ketligi asosida tayyorlanadi.

---

XULOSA 
Ushbu ish qosh qutbli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasiga 
bag ishlangan bo lib, o rganish natijasida quyidagilarni xulosa qilaman: 
‟
‟
‟
1.
Tranzistorlar tayyorlaydigan yarimo tkazgichli 
‟
materiallarni 
turlari va elektr xususiyatlari o rganildi.Tranzistorlar kremniy, germaniy va 
‟
arseniz galliydan tayyorlanishi aniqlandi. 
2.
Yarimo tkazgichli asboblar tayyorlash uchun monokristallardan 
‟
foydalanishi e tiborga olinib, materiallar olish texnologiyasi o rganildi. 
‟
‟
3.
Yarimo tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari 
‟
o rganildi va tranzistorlar uchun qaysi material, hamda kremniyli n-p-n- 
‟
strukturali tranzistor yaxshi effect berish mumkinligi ko rsatildi. 
‟
4.
Elektron-kovak o tish olish texnologiyasini batafsil yoritildi. 
‟
5.
Tranzistorlarni qotishmali, diffuzion, epitaksial va planar 
texnologiyasiga asosan olinishi ko rsatildi. Planar epiltaksial texnologiya 
‟
sifatli tranzistorlar yaratishga olib kelish mumkinligi ko rsatildi. 
‟