Davlat universiteti

 
3 –rasm. Umumiy bazaviy sxemada p-n-p turdagi tranzistorning 
kirishi (a) va chiqish (b) statik xarakteristikalarining oilasi 
 
Chiqish xarakteristikasi (3-rasm, b) o„zgamas emitter toki Ie da kollektor 
toki Ik ning undagi kuchlanish U
k
ga bog„liqligini, ya ni Ie 
‟

const da Ik 


(Uk) 
ni ifodalaydi. Bu xarakteristikaning qiyalik burchagi, qancha kichik bo„lsa, 
tranzistorning chiqish qarshiligi R
chiq. b
shuncha katta bo„ladi.
Tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari statik bo„lishini ta kidlab 
‟
o„tamiz.
Tranzistorning umumiy emitter bilan ulanish sxemasi 2-rasm, b da 
ko„rsatilgan.
Sxemaning kirish qarshiligi baza bilan emitter orasidagi kuchlanish U
b
ning baza toki I
b
ga bo„lgan nisbati bilan aniqlanadi: 
R
kir, e

б
I
U
б
R
kir. e
qiymatlarining diapazoni odatda 400- 2000 Om ni tashkil qiladi.
Chiqish qarshiligi kollektor kuchlanishi Uk ning uning toki Ik ga bo„lgan 
nisbati kabi topiladi: 

---

R
chiq. e

k
k
I
U
va o„rtacha 25–400 kOm ga teng, ya ni umumiy bazali sxemadagiga nisbatan juda 
‟
ham kichik 
Tok bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti bu yerda kollektor toki Ik (chiqish 
toki) ning baza toki I
b
(kirish) ga nisbati kabi topiladi: 


б
k
I
I
Shunisi xarakterliki, tok bo„yicha kuchaytirish umumiy emitterli sxemada 
umumiy bazali sxemadagiga qaraganda o„rtacha 10-100 marta ko„p.
Kuchlanish bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti bu yerda xuddi umumiy 
bazali sxemadagidek aniqlanadi va taxminan unga teng bo„ladi.
K
U

ки р
н
U
U

ки р
б
н
k
R
I
R
I


ки р
н
R
R
Kirish xarakterisikasi (4-rasm, a) emitter bilan kollektr orasidagi 
kuchlanish U
k
o„zgarmas bo„lganda baza toki I
b
ning emitter bilan baza orasidagi 
kuchlanish U
b
ga bog„liqligini, ya ni U
‟
k

const da I
b


(U
b
) ni ko„rsatadi. Bu 
xarakteristika qancha tikroq bo„lsa, tranzistorning kirish qarshiligi shuncha kichik 
bo„ladi.