Академия наук республики узбекистан

tasks of the research
were formulated:
to develop of an effective technology of alkoxysilane synthesis by way of 
exclusion or minimization of an inductio
n period of the direct reaction of 
metallurgical 
silicon and ethyl alcohol;
to search of ways of continuous activation of reaction medium in 
alkoxysilane synthesis and exclusion of accumulation of non
-desirable impurities 
that can be catalysts of the sid
e reactions in the reaction zone;
to develop catalyst preparation for catalytic disproportionation of 
triethoxysilane
based on local raw materials
;
to develop of a monosilane technology of polysilicon production on the 
basis of the alkoxysilane process;
to develop and create of an experimental set
-up for practical realization of 
monosilane technology of polysilicon production;
to develop of a method of separation and control of charged particle flows 
with the help of ions generated under electron-beam evaporation for control and 
management of the processes on the growth surface;
to study of the processes of silicon doping under low-energy ion irradiation 
during the growth;
to study of a possibility of controlling the relaxation of mechanical stresses 
in super-thin heterostructures silicon-germanium with the use of silicon ions during 
the growth;
to study of the formation processes of high-density and small-sized 
monocrustalline nano-islands with the use of ions under molecular-
beam epitaxy 
and determin
ation of optimal conditions for maximal density and minimal size of 
nano-
islands to be achieved;
to study of thermovoltaic properties of silicon film 
p-n
structures produced 
under ion-
stimulated vacuum deposition;
to study of a possibility of creating the intermediate layers by the ion-
stimulated method for adjusting of thermal barrier coatings.