Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий таълим тизими педагог ва раҳбар кадрларини

бир томонлама 
инжекция режими
амалга ошади. Агар кенг зонали яримўтказгич 
p
– турли 
бўлса, тўсиқ баландлиги электронлар учун катта бўлади. 
Затвор сифатида Шоттки барьеридан фойдаланилган ва гетероўтишли 
майдоний транзистор тузилиши 1.13, а–расмда, канал кўндаланг кесимидаги 
зоналар диаграммаси 8.12, б – расмда кўрсатилган. 
а) б) 
1.13 – расм. Гетероўтишли майдоний транзистор тузилиши (а) ва 
зоналар диаграммаси (б).
Асос 3 сифатида одатда яримизоляцияловчи галлий арсениди 
қўлланилади. Асос сиртига легирланмаган юқори омли GaAs 2 қатлам 
ўстирилади. Кейин ўтиш ҳосил қилиш учун юқори легирланган кенг зонали 
n
+
AlGaAs қатлам 1 ўстирилади. қатлам қалинлиги 50÷60 нм ни ташкил 
этади, шунинг учун у диэлектриклик хусусиятини намоѐн этади, чунки 
электронларнинг бир қисми затвор металига ўтади, бошқа қисми эса каналга 
ўтади. Шундай қилиб бундай тузилмада канал соҳаси ва легирловчи 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
36 
киритмали соҳа фазовий ажратилган ва электронлар ҳаракатчанлиги 
сезиларли ошади. 
Транзисторнинг ишлаш принципи. Затворда кучланиш бўлмаган ҳолда 
сток токи (
U
СИ
> 0) бўлганда максимал қийматга эга бўлади. Затвордаги 
манфий кучланиш ортган сайин потенциал чуқур чуқурлиги камаяди, у билан 
биргаликда канал ўтказувчанлиги камаяди. Затвордаги кучланишнинг 
маълум қийматида чуқур йўқолади. Бу каналнинг тўлиқ беркилишига тўғри 
келади.
Заряд 
ташувчилар 
ҳаракатчанлигининг 
ортишига 
асосланган 
транзисторлар, ҳаракатчанлиги юқори ѐки НЕМТ (High Electron Mobility 
Transistor) транзисторлар номини олган. Амалда заряд ташувчилар 
ҳаракатчанлиги юқорилигидан тўлиқ фойдаланиб бўлмайди. Катта интеграл 
схемаларда канал узунлиги 1 мкм дан кичик. Бунда бўйлама майдон 
кучланганлиги шунчалик катта – ки, дрейф тезлик 
ДР

тўйинишга эга бўлади. 
Бу электронлар ҳаракатчанлигининг камайишини англатаиб, тезлик ва 
майдон кучланганлиги орасидаги пропорционаллик бузилади. Шунинг учун 
майдоний транзисторлар тиклигини катта даражада оширишни иложи йўқ. 
Шунга қарамасдан гетеротузилмали майдоний транзисторлар сунъий 
йўлдошли алоқа тизимларининг кам шовқинли кучайтиргичларида кенг 
ишлатиладилар, чунки 
шовқин 
коэффициенти 
затвор 
узунлигига 
пропорционал. Ҳозирги замонда бундай транзисторлар асосида
f
= 20 ГГц 
частотада шовқин коэффициенти 
К
Ш
< 1 дБ, кучайтириш коэффициенти 
К
Р
≈ 
12 дБ бўлган кучайтиргичлар ишлаб чиқилмоқда, частота 60 ГГцдан юқори 
бўлганда 
К
Р
≈ 4 дБ,
 К
Ш
< 3 дБ ташкил этади. 
Ахборотларни қайта ишлаш ва узатишнинг оптик усуллари 
ривожланиши билан оптоэлектрон қурилмалар ва тизимларни ишлаб чиқиш 
муҳим касб этмоқда. Улар учун самарадорлиги юқори фотоқабулқилгичлар 
ва лазерлар яратилган. Бундан кейин кенг тарқалган кўчкили фотодиодлар ва 
гетеротузилмалар асосидаги наноэлектрон лазерлар кўриб чиқилади.