Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий таълим тизими педагог ва раҳбар кадрларини

 
1.4.
 
Наноэлектрониканинг физик асослари. 
 
Электрон қурилмалар 1958 йилда микроэлектрон интеграл кўринишда– 
ИМСлар кўринишида яратилгандан бошлаб микроэлектроника даври 
бошланди. Бунда “микро” қўшимчаси транзисторлар ўлчамлари сезиларли 
даражада кичиклашганини англатар эди. Аслида эса, ИМСлар микроолам 
объектлари – атом ва молекулаларга нисбатан “макроасбоб”лигича 
қолаверди. 
Микросхемаларни иккита афзаллиги: нархи арзонлиги ва юқори 
тезкорликка эгалиги бор эди. Иккала афзаллик ҳам миниатюризация 
(ўлчамларни кичиклаштириш) натижаси эди. Микроэлектрониканинг 
кейинги ривожи транзисторлар ўлчамларини узлуксиз кичиклашуви билан 
боғлиқ. 
1999 йилдан бошлаб фазовий координаталарнинг бири бўйлаб 
транзисторнинг ўлчами бир неча ўн нмга (1 нм=10
-9
м) камайди, яъни 
микроэлектроника ўрнига наноэлектроника келди. Таърифларнинг биттасига 
мувофиқ 
наноэлектроника
ўлчамлари 0,1÷100 нм гача бўлган яримўтказгич 
тузилмалар электроникасидир. 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
28 
Микро- ва наноэлектроника асбобларида ахборот сигналлар ва 
энергияни ўзгартириш жараѐнлари электронлар ҳаракати ҳисобига ѐки 
уларнинг бевосита қатнашиши ҳисобига амалга ошади. Маълумки, 
электронлар ва бошқа микрозаррачалар ҳаракати назарияси бўлиб квант 
механикаси хизмат қилади. Квант механикаси қонунларига мувофиқ 
электрон заррача бўлатуриб, тўлқинга ўхшайди. Лекин микроэлектроника 
асбобларда электроннинг тўлқин табиатидан келиб чиқадиган квант 
эффектлар шунчалик кичик – ки, электроннинг ҳаракати классик механика 
қонунлари чегарасида ифодаланади. 
Электронларнинг тўлқин табиатидан келиб чиқувчи физик ҳодисалар 
ўзларини наноэлектроника асбобларида тўлиқ намоѐн этади. Бундай 
ҳодисаларга ўлчамли квантлаш, электрон тўлқинлар интерференцияси, 
потенциал тўсиқлар (барьерлар) орқали туннеллашув киради. Квант 
механикасига мувофиқ 

тезлик билан ҳаракатланаѐтган 
m
массали 
заррачалар билан