A. X. Rasijlov, K. G. Baxadirov materialshunoslik va konstruksion

3 
4
1.6-rasm. Real kristall panjaraning nuqsonli tuzilishi.
Metallning  atomlari  siljigan  sohasi  bilan  atomlari  siljimagan 
sohasi  orasidagi  chegara  dislokatsiya
 
deb  ataladi.  Metallaming 
mustahkamligi  va  plastikligi,  qattiq  holatidagi  fazaviy  hamda
14

---

strukturaviy  o ‘zgarishlari  dislokatsiyalar  nazariyasidan  foydaSanilgan 
holda juda yorqin yoritilishi mumkin. Dislokatsiya kristall panjaradagi 
boshqa  turdagi  nuqsonlardan  o ‘zining  tabiatiga  ko‘ra  keskin  farq 
qiluvchi  maxsus  turdagi  nomukammallik  hisoblanadi.  Real  kristallar- 
da  chiziqli  dislokatsiyaning  ikki  turi  mavjud.  Kristall  yuzasidagi 
hamma  vakansiyalar  to‘planib  nuqsonlar  yig‘indisi  halqasini  hosil 
qiladi.  Mana shu halqa yuzasiga tik tekisliklardagi atomiaming tartibli 
joylashi geometriyasi  biroz buziladi-chetki dislokatsiya hosil boMadi.
1.7-rasm. Kub panjarali chekka dislokatsiya: strelka
  -
 
siljish  vektori
Siljish  natijasida  kristall  yuqori  qismida  ortiqcha  yarim  tekislik 
hosil  boMadi.  Bu  yarim  tekislik  elektrotekislik  deb  nomlanadi. 
Elektrotekislik  chekkalari  bo‘ylab  nomukammal  panjarali  soha 
tortilgan boMib, elektrotekislik chekkasi yuqorisida atomlararo masofa 
normal  qiymatlaridan  kichik  (atomiaming  quyuqlashgan  sohasi), 
pastki  qismida  esa  katta  (atomiaming  siyraklashgan  sohasi). 
Elektrotekislik chekkasi  atrofidagi  kristalldagi  nomukammallik sohasi 
chekkadagi  dislokatsiya  deyiladi.  Chekkadagi  dislokatsiya  chizigM 
siljish  vektoriga  perpendikular  boMadi.  Chekka  dislokatsiyani  shartli 
ravishda, agar u ekstrotekislik yuqorisida joylashgan boMsa, musbat va 
aksincha  pastki  qismida  boMsa  manfiy  deyiladi.  Ikkinchi  turdagi 
dislokatsiya  vintsimon  dislokatsiya  boMib,  u  kristallda  tilik  qilingan 
boMsa va kristallning  bir qismi  ikkinchi  qismiga  nisbatan  bir atomlar­
aro  masofaga  pastga  siljigan  hollarda  namoyon  boMadi.  Vakansiya 
to ‘plangan  joydagi  normal  yo‘nalish  bo‘yicha  siljish  natijasida  hosil 
boMgan  dislokatsiya  vintsimon  dislokatsiya  deb  ataladi.  Kristallda bir 
atom  tekislikka  siljish  natijasida  gelikoid  ko‘rinishidagi  burilish 
(vintsimon  narvon)  supacha  hosil  boMadi.  Chekka  dislokatsiyadan
15

---

farqli  ravishda  vintsimon  dislokatsiya  birinchidan  siljish  vektoriga 
parallel,  ikkinchidan  esa  u  siljish  vektorini  aniqlamaydi.  Y a’ni 
vintsimon  dislokatsiya  istalgan tekislik bo'ylab  siljishda hosil  bo‘lishi 
mumkin.
Kristallarning  1  sm2  yuzini  kesib  o ‘tgan  dislokatsiya  soni 
dislokatsiya  zichligi  deb  ataladi.  Sekin  kristallangan  jismlarda 
dislokatsiya  zichligi  102—104  sm'2  ga,  muvozanatdagi  polikristallarda 
dislokatsiya zichligi  106—10'  sm'2  ga teng boMadi.  Puxtalash natijasida 
dislokatsiya zichligi  1010- 1 0 12  sm'  gayetadi.
Qotishma  tarkibi  deganda,  uni  tashkil  etuvchi  kimyoviy 
elementlar  tushuniladi.  Tuzilishi  deganda,  ko‘z  yoki  lupa  yordamida 
ko‘rib  bo‘ladigan  makrotuzilish,  mikroskoplar  (1.9-rasm)  yordamida 
kuzatiladigan  mikrotuzilish,  100  ming  marta  katta  qilib  ko‘rsatadigan 
elektron  mikroskoplarda  yoki  rentgen  nurlari  ta’sirida  o‘rganiladigan 
supmikroskopik  tuzilish  tushuniladi.  Xossalari  deganda,  kimyoviy, 
fizik, mexanik va texnologik xossalari tushuniladi.
1.9-rasm. М И М -7 М mikroskopL 
16

---