Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

Изоляция коллекторной диффузией. При этом способе 
(рис. 2.3) исходным является создание на подложке p-Si рав-
номерного эпитаксиального p-слоя, а в определенных местах 
под ним - скрытого n
+
-слоя. Затем производят диффузию до-
норов через маску и создают боковые n
+
-области, касающиеся 
скрытого n
+
-слоя.
В отличие от рис. 2.2 образуется карман p-типа для соз-
дания p-базы и n-эмиттера. Совокупность скрытого n
+
-слоя и 
боковых n
+
-областей будет выполнять в транзисторе функцию 

---

32 
коллекторной области с выводом К на поверхности. Переход 
между n
+
-областями и подложкой и обеспечивает изоляцию от 
другого элемента ИС, если подложка имеет наименьший по-
тенциал.
Рис. 2.3. Изоляция коллекторной диффузией 
 
Метод изоляции диэлектриком сводится к созданию 
кармана из диэлектрика, в котором располагается транзистор-
ная структура. Это более совершенный, чем предыдущий ме-
тод, прежде всего из-за чрезвычайно малых токов утечки, ко-
торые на 3 - 5 порядков меньше обратных токов в р-п-
переходах. 
Увеличивая толщину диэлектрика и выбирая материал с 
малой диэлектрической проницаемостью, можно снизить и 
значения паразитных емкостей. На рис. 2.1, б показан один из 
способов изоляции диэлектриком транзисторных структур. Он 
получил названия КВД - кремний в диэлектрике. Одним из 
технологических процессов полной диэлектрической изоляции 
является эпик-процесс, обеспечивающий изоляцию элементов 
оксидным слоем SiO
2
.