Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

n 
n 
n+ 
1 2 

---

49 
2.4. Транзисторные структуры
специального назначения 
 
Помимо обычных транзисторов в цифровых полупровод-
никовых ИС применяются также многоэмиттерные транзи-
сторы (МЭТ). 
Многоэмиттерные n-p-n ранзисторы отличаются от рас-
смотренных выше одноэмиттерных прежде всего тем, что в их 
базовой области создают несколько (обычно 4 - 8) эмиттерных 
областей.
Принцип устройства таких транзисторов и их изображе-
ние на схемах показаны на рис. 2.19. Для примера взят трех-
эмиттерный транзистор. Такой транзистор можно отпирать 
подачей импульса прямого напряжения на любой из трех 
эмиттерных переходов. К каждому эмиттеру подключается 
свой источник отпирающего импульса. При этом важно, чтобы 
такой импульс напряжения не проник в другие источники 
входных импульсов, так как эмиттерные переходы, не рабо-
тающие в данный момент, будут находиться под обратным на-
пряжением. 
Следует обратить внимание, что в многоэмиттерном 
транзисторе работающий эмиттер вместе с базой и другим, со-
седним, эмиттером образует паразитный транзистор. Чтобы 
уменьшить влияние последнего, между соседними эмиттерами 
делают расстояние не менее 10 мкм, т. е. у такого паразитного 
транзистора получается сравнительно толстая база. 
а) 
 
 
 
б) 
Рис. 2.19. Структура (а) и условное графическое
обозначение (б) многоэмиттерного транзистора 

---

50 
Основная область применения МЭТ - цифровые микро-
схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). В этих мик-
росхемах они включаются на входе и выполняют функцию ди-
одной логической ячейки, состоящей из m + 1 диодов, где m - 
число эмиттеров, являющихся входами схемы ТТЛ. Много-
эмиттерный транзистор можно представить в виде совокупно-
сти отдельных n-p-n транзисторов (рис. 2.20), число которых 
равно числу эмиттеров. Все базовые выводы этих транзисто-
ров, как и коллекторные, соединены между собой. 
а) 
 
 
 
б) 
Рис. 2.20. Диодная логическая ячейка (а) и эквивалентная
схема (б) многоэмиттерного транзистора 
Главная особенность использования МЭТ в схемах ТТЛ 
состоит в том, что в любом состоянии схемы коллекторный 
переход МЭТ, включенного на ее входе, смещен в прямом на-
правлении. Следовательно, отдельные транзисторы находятся 
в инверсном режиме, либо в режиме насыщения в зависимости 
от напряжения на соответствующем эмиттере.
Подобно многоэмиттерным транзисторам применяются