Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

комплементарными транзисторами (КМОП или КМДП). 
«Комплементарный» означает «дополняющий» (от англ. 
complementary). Комплементарные транзисторы применяются 
в ключевых (цифровых) схемах и отличаются очень малым по-
треблением тока и высоким быстродействием. Встречаются 
также ИС, в которых на одном общем кристалле изготовлены 
биполярные и МОП-транзисторы. 
В таких структурах применяются транзисторы с индуци-
рованными каналами. Отличительной особенностью компле-
ментарных структур является противоположная полярность 
питающих и управляющих напряжений (рис. 2.11). 
Такая комбинация транзисторов позволяет сочетать вы-
сокое быстродействие и предельно малое потребление энергии 
от источника питания. Один из транзисторов в зависимости от 
типа подложки создают в изолирующем кармане. Создаются 
также охранные области, позволяющие устранить утечки тока 
и паразитные связи между МДП-транзисторами.

---

42 
а) 
 
б) 
 
Рис. 2.11. Комплементарные транзисторные
структуры, изготовленные в кристалле полупроводника (а)
и на диэлектрике (б) 
По надежности и популярности предпочтение отдается 
КМОП-транзисторам, которые реализованы на диэлектриче-
ской подложке, например, на сапфире. Это позволяет получать 
транзисторы без токов утечки, с отсутствием паразитных ем-
костных связей между областями транзистора и подложки. Та-
кая технология позволяет повысить быстродействие транзи-
сторов, создать на их основе радиационностойкие интеграль-
ные схемы. 
Рассмотренные выше структуры имеют планарную кон-
струкцию, ток носителей в которых переносится в горизон-
тальном направлении. Транзисторы типа V-МДП относятся 
к типу транзисторов с вертикальным токопереносом - от рас-
положенного в подложке истока к верхнему стоку.
Этот тип транзисторов изготовляется путем селективного 
травления в исходной структуре кремния V-образных канавок 
(рис. 2.12). 

---

43 
V-МДП-структура является весьма компактной. Истоко-
вая область играет роль шины земли и не требует дополни-
тельной площади кристалла для заземления. Проводящий ка-
нал образуется в р-слое и его длина определяется микронными 
размерами, а ширина всем периметром V-образного углубле-
ния. Большая ширина канала позволяет получить транзисторы 
с большим током и большим усилением. Область объемного 
пространственного заряда (ОПЗ) позволяет увеличить пробив-
ное напряжение транзистора и снизить значение паразитной 
емкости «затвор-сток». Трехмерность V-МДП-транзисторов 
является большим плюсом при создании объемных интеграль-
ных схем с высокой плотностью упаковки на кристалле. 
Рис. 2.12. Структура V-МДП-транзистора;
1 - область канала; 2 - область дрейфа электронов