Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

Метод изоляции обратносмещеиным р-п-переходом 
базируется на свойстве такого перехода иметь очень высокое 
удельное сопротивление при обратном смещении. Изоляция р-
п-переходом является однофазным способом потому, что ма-
териал по обе стороны и в пределах изолирующего слоя один и 

---

30 
тот же. Изоляция р-п-переходом по существу сводится к фор-
мированию двух встречно включенных диодов между изоли-
руемыми элементами (рис. 2.1, а). 
Для того чтобы изолирующие диоды находились под об-
ратным смещением, на подложку подают максимальный, от-
рицательный потенциал от источника питания. 
Изоляция р-п-переходом органически вписывается в ос-
новной технологический цикл производства кремниевых инте-
гральных схем. Используют изолирующую диффузию, методы 
тройной диффузии, встречной диффузии. К недостаткам этого 
способа изоляции следует отнести наличие обратных токов в 
р-n-переходах и наличие барьерных емкостей. 
а) 
б) 
в) 
Рис. 2.1. Способы изоляции транзисторных биполярных
структур: а - изоляция р-п-переходом; б - изоляция
диэлектриком; в - комбинированная изоляция 

---

31 
На рис. 2.2 показана структура интегрального n-p-n-
транзистора, изолированного p-n-переходом. В этом транзи-
сторе подложкой является кремний p-типа; на ней созданы 
эпитаксиальный n-слой и так называемый скрытый n
+
-слой. 
Изолирующий p-n-переход создается путем диффузии 
акцепторной примеси на глубину, обеспечивающую соедине-
ние образующихся при этой диффузии p-областей с p-
подложкой. В этом случае эпитаксиальный n-слой разделяется 
на отдельные n-области (изолирующие «карманы»), в которых 
создаются потом транзисторы. Эти области будут электриче-
ски изолированы только в том случае, если образовавшиеся p-
n-переходы имеют обратное включение. Это достигается, если 
потенциал подложки n-p-n-транзистора будет наименьшим из 
потенциалов точек структуры. В этом случае обратный ток че-
рез p-n-переход незначителен и практически исключается 
связь между n-областями (карманами) соседних транзисторов. 
Рис. 2.2. Структура интегрального n-p-n-транзистора,
изолированного p-n-переходом