Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

2.1. Методы изоляции элементов 
 
В 
полупроводниковых 
ИС 
используются 
как 
биполярные, так и МДП - структуры. Различие в структурах, а 
также способах электрической изоляции элементов приводит к 
различию функциональных возможностей электрических 
характеристик.
Технологии 
изготовления 
биполярных 
и 
МДП-
транзисторов близки, хотя есть и некоторые особенности: 
необходимость 
специальных 
процессов 
для 
изоляции 
элементов в биполярных схемах и процессов получения 
тонких пленок подзатворного диэлектрика в МДП-схемах.
Технологический 
процесс 
производства 
ИС 
многооперационный 
и 
длительный. 
Общее 
число 

---

29 
технологическх операций превышает 500, а длительность 
технологического цикла - до 50 дней.
Чтобы избежать коротких замыканий и образования не-
предусмотренных межсоединений, отдельные элементы ИС 
изолируют. Известны следующие виды изоляции: 
1. Изоляция путем создания р-п-переходов, смещенных 
в обратном направлении. Здесь коллектор погружен в под-
ложку, которая имеет противоположный тип электропровод-
ности. При этом между подложкой и каждым коллектором (ис-
пользуют п-р-п-транзисторы на подложке р-типа) возникает р-
п-переход, изолирующий транзистор. 
2. Диэлектрическая изоляция. Для ее создания приме-
няют изопланарный процесс, который до некоторой степени 
аналогичен предыдущему, но позволяет добиться большой 
плотности размещения элементов, хотя и является более доро-
гим. Используют также процесс, основанный на коррозионной 
анизотропии кристалла при химическом травлении; с помо-
щью этого метода удается достичь высокой степени интегра-
ции. 
3. Полная изоляция или комбинированная изоляция со-
четает в себе диэлектрическую изоляцию и изоляцию обрат-
носмещенным переходом. Используется в тех случаях, когда 
нужно обеспечить малые паразитные емкости или высокую 
радиационную стойкость. Здесь каждый элемент ИС изолиру-
ется в ходе технологического цикла на общей подложке. 
При создании полупроводниковых ИС малой и средней 
степени интеграции широко используются способы изоляции 
обратновключенным p-n-переходом и диэлектрическими плен-
ками диоксида кремния. Для БИС разработана технология 
комбинированной изоляции с одновременным использованием 
p-n-перехода и диэлектрических пленок.