O‘zbekiston respublikasioliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi

2.4. Zondlarga qo‘yilgan bosim kuchining kiritgan xatoligi 
Yupqa epitaksial qatlamlarning solishtirma qarshiligini o‘lchashda metall 
zond bilan epitaksial qatlamning teshilishi va taglikda shuntlanish kuchayishi 
mumkin. Bu hodisa sodir bo‘lmasligi uchun zondga qo‘yilgan kuchni kichik qilib 
tanlash kerak. Zondga qo‘yilgan o‘rtcha kuchlanish 
0,3 0,03
H

bo‘lishi tavsiya 
etiladi. Zondga qo‘yilgan kuchni bundan kam bo‘lishi zond kontakt qarshiligini 
oshiradi, bu esa o‘lchov asboblarini kirish qarshiligini oshirishni talab qiladi. 
Epitaksial qatlamlarda yuqorida ko‘rilgan omillar uning sirt qarshiligini tokka 
bog‘liq bo‘lishiga olib keladi
. 

---

 
XULOSA 
 
1.
Yarim o‘tkazgichli yupqa materiallarning solishtirma qarshiligini 
o‘lchashning Van-der-Pau usuli o‘rganildi. 
2.
Turli hajmdagi namunalar, plastinkalar, yupqa qatlamlar, har xil turdagi 
yarimo‘tkazgichli strukturalar solishtirma qarshiligini aniqlashniVan-der-Pau 
usulibilan o‘rganildi. 
3.
Nomuvozanat holatidagi zaryad tashuvchilar solishtirma qarshiligini va
chuqur sathli markazlar solishtirma qarshiligini Van-der-Pau usuli bilan aniqlash
o‘rganildi. 
4.
Yarim o‘tkazgichlar solishtirma qarshiligini o‘lchashdagi turli 
xatoliklarni xisoblash bilan tanishildi. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR: 

---

 
1. Каримов И.А. Жаҳон молиявий иқтисодий инқирози Ўзбекистон 
шароитида уни бартараф этишнинг йўллари ва чоралари. Т.: “Ўзбекистон” 
нашриёти, 2009. – 228б. 
2. Каримов И.А.Ўзбекистон мустақилликга эришиш остонасида. Т.: 
“Ўзбекистон” нашриёти, 2011. – 173б. 
3. Баркамол авлод орзуси. Т.: “Ўзбекистон” нашриёти, 1999. - 45б. 
4. Давлат таълим стандарти. Ахборотнома – Т: 1999. 
5. Ковтанюк Н.Ф., Концевой Ю.А.. Измериния параметров 
полупроводниковых материалов. М.: Изд. «Металлургия» 1970. - 3-5 с. 
6. Павлов Л.П.. Методы определения основных параметров 
полупроводниковых материалов. М.: изд “Высшая школа”, 1975. - 67-73 с. 
7. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В.. Измерение 
параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: изд “Радио 
связь” , 1985. - 11-20 с. 
8. Павлов Л.П.. Методы измерения параметров полупроводниковых 
материалов. М.: изд “Высшая школа”, 1987. - 20-34 с. 
9. Варобьев Ю.В., Добровальский В.Н., Стрика В.И.. Методы 
исследования полупроводников. К.: изд “Высшая школа”, 1988. - 34-41 с. 
10. Колешко В.М., Каплон Т.Д.. 
Ñ
V

методы измерения параметров 
МОП структуры обзоры по электронной технике. Сер. 3-Микроэлектроника. 
Изд “Электроника”, 1977. - 56-77 с. 
11. Каримов И.Н. В милние внешних воздействий на свойства границы 
разделе пролупроводник-диэлектрик МДП-структур» Канд.дис. Т.: 1986. 
12. Берман Л.С., Лебедев А.А. Ёмкостная спектроскопия глубоких 
центров в полупроводниках. Изд “Наука”, 1981.-56-59 с 
13. Azizov M.A. Yarimo‘tkazgichlar fizikasi.Т.: “O‘qituvchi” nashriyoti, 
1974. – 45-48 б. 
14. Тешабаев А. Измерения полупроводникових параметров. Т.: изд. 
“Ўқитувчи”, 2001. -56-64 с. 
INTERNET MA’LUMOTLARI
: 
http://
 
www.energy.com: 
http://www. ziyonet.uz
http://www.03 - ts.ru 
 http://www.WSP.ru