O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikasiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali

1 0-masala
Berilgan:
n – tipdagi kanalli maydoniy tranzistorning chiqish (stok) xarakteristikasi asosida uning quyidagi parametirlarini aniqlang




Yechish:
Ichki (chiqish) qarshiligi
R_i stok va istok
11-masala
Quyosh batariyasining elementi sifatida fotodiod ishlatiladi. Agar foto EYuK 0,7 V va, diodning qarshiligi 10 k om, yuklanishning qarshiligi 1 kom. Yuklanmadagi tokni aniqlang.
Berilgan:
U=0,7 B
R_n=1kom
R_g=10 kom
J-?
12-masala
Fotorezistorning qarong‘ilikdagi qarshiligi 50 kom, 0,01 yorug‘lik oqimida uning qarshiligi 30 kom buladi. Agar tarmoqdagi kuchlanish 15 V bulsa, asbobning fotorezistorini toping
Berilgan
R_q=50 kom
R_yo=30 kom
U=15 B
F_q=0 lm
F_yo=0,01 lm


13–MASALA.
Qarshiligi R=100 kOm bo‘lgan yuklama va dioddagi kuchlanishlarni (kuchlanish tushishlarini) diodning teskari ulanish rejimida aniqlang. Dioddagi tok 10 mkA, tarmoqdagi kuchlanish U=80 V



Berilgan I_g=10 mkA
U=70 V
R_yu=100kOM
______________
U_R – ? U_g – ?
14–MASALA
Diodning to‘g‘ri ulanish sxemasidagi yuklama R ning qarshiligini aniqlang. Tarmoqdagi kuchlanish U=6B, dioddagi kuchlanish U_g=0,5B, tok I_g=11mA.
Berilgan
U=8 B
U_g=0,5 B
I_g=11 mA
________
R–?
15–MASALA
Ketma–ket ulangan to‘g‘ri ulanish sxemasidagi nochiziqli yarim o‘tkazgich diod va chiziqli qarshilik R dagi kuchlanish tushishlari orqali tarmoqdagi kuchlanishni, bu elementlarning VAX lari asosida I_g1=20 mA uchun grafik asosda toping.

R


VD


U

+

–



I_g1

Berilgan
I_g1=30 mA.

_______
U–?
U_g1–?
U_R–?