O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikasiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali

1–MASALA.
Qarshiligi R=100 kOm bo‘lgan yuklama va dioddagi kuchlanishlarni (kuchlanish tushishlarini) diodning teskari ulanish rejimida aniqlang. Dioddagi tok 10 mkA, tarmoqdagi kuchlanish U=80 V



Berilgan I_g=10 mkA
U=80 V
R_yu=100kOM
______________
U_R – ? U_g – ?
2–MASALA
Diodning to‘g‘ri ulanish sxemasidagi yuklama R ning qarshiligini aniqlang. Tarmoqdagi kuchlanish U=6B, dioddagi kuchlanish U_g=0,5B, tok I_g=11mA.
Berilgan
U=6 B
U_g=0,5 B
I_g=11 mA
R–?
3–MASALA
Ketma–ket ulangan to‘g‘ri ulanish sxemasidagi nochiziqli yarim o‘tkazgich diod va chiziqli qarshilik R dagi kuchlanish tushishlari orqali tarmoqdagi kuchlanishni, bu elementlarning VAX lari asosida I_g1=20 mA uchun grafik asosda toping.



R


VD


I_g1


U

+

–

Berilgan
I_g1=20 mA.

_______
U–?
U_g1–?
U_R–?
4–MASALA
Quyidagi aralashmalardan qay birlari elektron va qay birlari teshik o‘tkazuvchanlik hosil qiladi. Bazaviy yarim o‘tkazgich germaniy va uning tashqi elektron orbitasida 4 ta valent elektron aylanadi.

Elementlar (aralashmalar) valentliklari

Fosfar P – 5 Alyuminiy Al–3 Margimush AS–5 Kremniy Si–4
Surma Sb–5 Galliy Ga–3 Bor B–3 Uglerod C–4
5–MASALA
B
мА

I_к
ipolyar tranzistorning berilgan VAXlari bo‘yicha, umumiy emitterli sxema uchun tranzistorning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti Β ni toping. U_ke=40 V.

–

I_g=0,2мА

0,3

0,4

50

40

U_кэ, B

15

10

5

30

20

10


+


U_кэ


к


э


VT


I_δ


U_δэ


δ

–

+