Мирзаев жасурбек исраилович

Рис. 1.11. Температурные зависимости: 1 — положения макси-
мума высокоэнергетической полосы ФЛ нанокластеров CdS;
2 — ширины запрещенной зоны объемного CdS. 3 — аппрок-
симация температурной зависимости 1 формулой Фэна (1) [55; С.1218-1223].

Рис.1.12. Схематическое изображение транспорта в локально
связанных нанокластерах различных размеров. E^bulk_g - ширина запрещенной зоны объемного CdS [55; С.1218-1223].
Управление шириной запрещенной зоны графеновых нанолент является важной задачей для изготовления эффективных детекторов и преобразователей излучения в разных диапазонах частот [56; C.2066-2075]. Периодическая зигзагообразная модификация края ленты (ЗМКЛ) предоставляет два дополнительных параметра для управления шириной запрещенной зоны таких структур — два плеча ЗМКЛ. Методом сильной связи для π-электронов изучена зависимость ширины запрещенной зоны Eg от этих параметров. Для рассмотренных лент наблюдаются осцилляции Eg в зависимости от ширины ленты не только в случае края типа «кресло» (как для обычных графеновых нанолент), но и для зигзагных краев ЗМКЛ (Рис.1.13). Показано, что изменения Eg за счет вариации длины одного плеча ЗМКЛ в несколько раз меньше изменений за счет вариации ширины ленты,что предоставляет возможность «плавной перестройки» ширины запрещенной зоны энергетического спектра графеновых нанолент рассмотренного типа [56; C.2066-2075].
В работе [57; C.80-87] рассмотрен подход к спектральному анализу параметров зонной структуры (ширины запрещенной зоны и энергии Урбаха) для модифицированных переходными металлами нанопластин полититанатов калия как платформы для синтеза фотокаталитических материалов. Показано, что модифицированные образцы характеризуются пониженными значениями ширины запрещенной зоны и более высокими значениями энергии Урбаха по сравнению с исходным материалом. Обсуждены возможные механизмы данного явления. А также, в работе [58; C.339-341] исследованы температурные и размерные зависимости изменения ширины запрещенной зоны квантовых точек CdSe с диаметрами 2.4, 4.0 и 5.2 нм во фторофосфатных стеклах. Показано, что для квантовых точек температурный коэффициент смещения ширины запрещенной зоны dEg/dT отличается от значения для объемного полупроводника и строго зависит от размера наночастиц.