Мирзаев жасурбек исраилович


СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛитературЫ



Download 3,97 Mb.
bet35/35
Sana11.07.2022
Hajmi3,97 Mb.
#774008
TuriДиссертация
1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   35
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛитературЫ

  1. Abrikosov A.A. Introduction to the Theory of Metals, Amsterdam, North-Holland, 1986. pp.160.

  2. Дорофеев С.Г., Кононов Н.Н., Бубенов С.С., Попеленский В.М., Винокуров А.А. Прыжковая проводимость Мотта и Эфроса-Шкловского в пленках из наночастц Si, легированных фосфором и бором // ФТП. 2022. Т.56, Вып. 2. С.204-212.

  3. Бурмистров И.С. Введение в теорию целочисленного квантового эффекта Холла. Черноголовка. Редакционно-издательский отдел ИПХФ РАН. 2015. 96 с.

  4. Гантмахер В.Ф. Электроны в неупорядоченных средах. М.: “ФИЗМАТЛИТ”. 2013. 288 с.

  5. Асадов M.M., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.C., Лукичев В.Ф., Тагиев Д.Б. Моделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 2D-кристалле GaS с точечными дефектами // ФTT. 2022. T.64, вып.1. C.46-59.

  6. Аксенов М.С., Валишева Н.А., Ковчавцев А.П. Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In0.53Ga0.47As // Письма в ЖТФ. 2021. T.47, вып. 10. C.11-14.

  7. Джахангирли З.А., Керимова Т.Г., Мамедова И.А., Набиева С.А., Абдуллаев Н.А. Ab initio и экспериментальное исследование электронных, оптических и колебательных свойств CdGa2Te4 // ФTT. 2020. T.62, вып. 8. C.1270-1277.

  8. Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю., Эркабоев У.И. Влияние эффективной массы плотности состояний на температурный зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey // Физическая инженерия поверхности. 2013. Т.11, №2. стр.195-199.


  1. Marcin Z Drozdowa Byszewski. Optical properties of a two-dimensional electron gas in magnetic felds. University Joseph Fourier. 2005. (In English). Ed. “Science technology santé”. Part I. pp. 141. https:// tel.archives–ouvertes.fr/tel-00010691.

  2. Sugawara M. Estimation of Electric Fields from Magnetic Field Distributions and an Application to Helicon Wave // Japanese Journal of Applied Physics. 1995. Vol.34. iss. 11. pp.1583-1590.

  3. Платонов В.В., Кудасов Ю.Б., Макаров И.В., Маслов Д.А., Сурдин О.М., Жолудев М.С., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып.12. С.1660-1664.

  4. Grado-Caffaro M.A., Grado-Caffaro M. On the density of electronic states in a quantum well of an anharmonic solid under a perpendicular magnetic field // European Physical Journal B. 2010. Vol.73, pp. 243–245.

  5. Dubrovsky I.M. Density of one-particle states for 2D electron gas in magnetic field // Condensed Matter Physics. 2013. Vol. 16, No 1, pp.13001: 1–10.

  6. Ghassan H.E Alshabeeb, Arof A.K. The density of states for ZnSxSe1-x materials in the presence of a uniform magnetic field // Physica B. 2015. Vol.457. pp.198–201.

  7. Constantinos Simserides. Properties of conduction-band dilute-magnetic-semiconductor quantum wells in an in-plane magnetic field: A density of states profile that is not steplike // Physical Review B. 2004. Vol.69, Iss.11, pp.113302: 1-7.

  8. Шинкоренко А.С., Зиненко В.И., Павловский М.С. Магнитные, электронные и оптические свойства тетраборатов NiB4O7 и CoB4O7 в трех структурных модификациях // Физика твердого тела, 2021. T.63, вып. 3. C.376-384.

  9. Mudar Ahmed Abdulsattar, Mohammed T. Hussein, Hadeel Ali Hameed. Ab initio structural and vibrational properties of GaAs diamondoids and nanocrystals // AIP ADVANCES. 2014. Vol.4. pp.127119: 1-10.

  10. Юнусов М.Б., Хуснутдинов Р.М., Мокшин А.В. Электронные и теплофизические свойства газовых гидратов: результаты моделирования из первых принципов // Физика твердого тела, 2021, том 63, вып. 2. C.308-312.

  11. Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып.7. С.896-900.

  12. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, вып.1 С.104-110.

  13. Расулов B.P., Расулов Р.Я., Эшболтаев И.М., Султонов P.P. Размерное квантование в n-GaP // Физика и техника полупроводников. 2020, том 54, вып. 4. C.358-362.

  14. Расулов В.Р., Расулов Р.Я., Ахмедов Б.Б., Муминов И.А. Межзонный двухфотонный линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках в приближении Кейна // Физика и техника полупроводников. 2022, том 56, вып. 1. C.61-68.

  15. Ахмадалиев Б.Ж., Юлдашев Н.Х. Сильная интерференционная люминесценция смешанных мод в окрестности критического значения затухания экситона // Оптика и спектроскопия. 2021, том 129, вып. 9. C.1137-1141.

  16. Полвонов Б.З., Юлдашев Н.Х. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции тонких поликристаллических пленок CdTe // Физика и техника полупроводников. 2016, том 50, вып. 8. C.1021-1024.




  1. Pavlov N.V., Zegrya G.G. Effect of nonparabolicity of the electron and light-hole energy spectrum on the optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb quantum wells // Semiconductor. 2015. Vol.49, Iss.5. pp. 604-614.

  2. Жолудев М.С., Теп Ф., Морозов С.В., Орлита М., Консейо К., Руфенах С., Кнап В., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой // Письма в ЖЭТФ. 2014. Том.100. Вып.12. С. 895-900.

  3. Гулямов Г., Эркабоев У.И., Байматов П.Ж. Моделирование зависимости энергии поглощаемого фотона от магнитного поля в полупроводниках // Альтернативная энергетика и экология. 2016. №19-20(207-208). С.130-138.

  4. Леонтович М.А. Введение в термодинамику. Статистическая физика. 1983 г. М. «Наука». 416 С.

  5. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. 1971 г. М. «Наука». 416 С. 470.

  6. Григорьев П.Д. Особенности магнитосопротивления в слоистых квазидвумерных проводниках. Дисс. на соиск. уч. степени д.-ф.н. 2015. Черноголовка. 289 С.

  7. Molina J., J. De La Hidalga, Gutierrez E. Reduction in the interface-states density of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on high-index Si (114) surfaces by using an external magnetic field // Journal of applied physics. 2014. Vol.116, pp.064510: 1-10.

  8. Dresselhaus M.S. SOLID STATE PHYSICS. PART III. Magnetic Properties of Solids. 145 P.

  9. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С.




  1. Веденеев С.И., Князев Д.А., Прудкогляд В.А., Романова Т.А., Садаков А.В. Квантовые осцилляции в сильных магнитных полях, фаза берри и сверхпроводимость в трехмерных топологических изоляторах Bi2-xCuxSe3 // ЖЭТФ. 2015. Т.148. вып. 1(7). С.75-87.

  2. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. 1978. М.: Наука. 590 С.

  3. Берзин А.А., Морозов В.Г. Основы квантовой механики. 2005 г. Москва, МИРЭА. 220 С.

  4. Салех Б., Тейх М. Оптика и фотоника. Принципы и применения. Часть 2. 2012. Москва, Интеллект. 380 С.

  5. Yu Wang, Linlu Wu, Zheng Wei, Zijia Liu, Peng Cheng, Yiqi Zhang, Baojie Feng, Guangyu Zhang, Wei Ji, Kehui Wu, and Lan Chen. Exotic magnetic and electronic properties of layered CrI3 single crystals under high pressure // Phys. Rev. B. 2022. Vol. 105, Iss. 8. L081404: 1-12.

  6. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л., Пащенко А.С., Яковенко Н.А., Пащенко О.С. Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ, 2021, том 47, вып. 20. C.27-30.

  7. Рагимов С.С., Багиев В.Э., Алиева А.И., Саддинова А.А. О ширине запрещенной зоны AgSbSe2 // Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 4. C.291-298.

  8. Федюнин Ф.Д., Спасский Д.А. Правило Урбаха и оценка ширины запрещенной зоны в молибдатах // Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 8. C.1179-1186.

  9. Боднарь И.В., Чан Б.Т., Павловский В.Н., Свитенков И.Е., Яблонский Г.П. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn7S12 // Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 12. С.1621-1624.


  1. Боднарь И.В., Тхан Чан Бинь. Монокристаллы Mn0.1Ag0.9In4.7S7.6: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение // Физика и техника полупроводников. 2017, выпуск 8 С.1071-1075.

  2. Безъязычная Т.В., Богданович М.В., Кабанов В.В., Кабанов Д.М., Лебедок Е.В., Паращук В.В., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Шпак П.В., Щемелев М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 7. C.1003-1006.

  3. Shamirzaev T.S., Shumilin A. V., Smirnov D. S., Rautert J., Yakovlev D. R., and Bayer M. Dynamic polarization of electron spins in indirect band gap (In,Al)As/AlAs quantum dots in a weak magnetic field: Experiment and theory // Phys. Rev. B. 2021. Vol. 104, Iss. 11. C.115405: 1-15.

  4. Hyeondeok Shin, Jaron T. Krogel, Kevin Gasperich, Paul R. C. Kent, Anouar Benali, and Olle Heinonen. Optimized structure and electronic band gap of monolayer GeSe from quantum Monte Carlo methods // Phys. Rev. Materials. 2021. Vol. 5, Iss. 2. C. 024002: 1-9.

  5. Yipei Zhang, Zhen Zhan , Francisco Guinea, Jose Ángel Silva-Guillén, and Shengjun Yuan. Tuning band gaps in twisted bilayer MoS2 // Physical Review B. 2020. Vol.102, PP. 235418: 1-14.

  6. Jiseon Shin, Youngju Park, Bheema Lingam Chittari. Electron-hole asymmetry and band gaps of commensurate double moire patterns in twisted bilayer graphene on hexagonal boron nitride. Physical Review B. 2021. Vol.103, PP.075423: 1-7.

  7. Psiachos D., Sigalas M.M. Band-Gap Tuning in Two-Dimensional Spatiotemporal Phononic Crystals // Physical Review Applied. 2021.Vol.15, pp. 014022:1-7.

  8. Zhen Zhang, Jing-Yang You, Xing-Yu Ma, Bo Gu, Gang Su. Kagome quantum anomalous Hall effect with high Chern number and large band gap // Physical Review B. 2021. Vol.103, pp.014410: 1-13.

  9. Bafekry A., Stampfl C. Band-gap control of graphenelike borocarbonitride g-BC6N bilayers by electrical gating // Physical Review B. 2020. Vol.102, 195411: 1-9.

  10. Старухин А.Н., Нельсон Д.К., Курдюков Д.А., Еуров Д.А. Исследование фотофизических свойств нанокомпозита HgI2@mSiO2 // ФТТ. 2021, том 63, вып. 8, с.1151-1156.

  11. Карпов В.В., Бандура А.В., Эварестов Р.А. Неэмпирические расчеты структуры и устойчивости нанотрубок на основе монохалькогенидов галлия // Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 6, c.908-913.

  12. Садовников С.И., Попов И.Д. Оптические свойства нанопорошков сульфида цинка и гетеронаноструктур ZnS/Ag2S // Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 11, С.1787-1794.

  13. Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт // Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10. С.1218-1223.

  14. Сороко В.А., Батраков К.Г., Чернозатонский Л.А. Графеновые наноленты с зигзагообразно модифицированными краями: структура и электронные свойства // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 10. C.2066-2075.

  15. Зимняков Д.А., Гороховский А.В., Третьяченко Е.В., Кочубей В.И., Ювченко С.А., Сина Дж.С.К. Спектральным оценкам параметров зонной структуры наночастиц полититаната калия, модифицированного в растворах солей переходных металлов // Письма в ЖТФ, 2014, том 40, вып. 10. C.80-87.




  1. Липатова Ж.О., Колобкова E.B., Бабкина A.H., Никоноров H.B. Размерные и температурные зависимости ширины запрещенной зоны квантовых точек селенида кадмия во фторофосфатных стеклах // Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 3. C.339-341

  2. Форш Е.А., Форш П.А., Кашкаров П.К. Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 9. С.1184-1188.

  3. Гулямов Г., Эркабоев У.И., Шарибаев Н.Ю. Математическое моделирование влияния температуры и магнитного поля на ширину запрещенной зоны полупроводников // Узбекский физический журнал. 2015. Т.17. №6. С.351-360.

  4. Коротун А.В. Размерные осцилляции работы выхода металлической пленки на диэлектрической подложке // Физика твердого тела. 2015. Т.57, вып.2, С.371-374.

  5. Курбацкий В.П., Погосов В.В. Аналитическая модель размерных осцилляций энергетических и силовых характеристик субатомных металлическых пластинок // Физика твердого тела. 2004. Т.46, вып.3, С.526-533.

  6. Коротун А.В. Энергия Ферми металлической нанопроволоки эллипти-ческого сечения // Физика твердого тела. 2014. Т.56, вып.6, С.1197-1200.

  7. Коротун А.В., Коваль А.А. О влиянии диэлектрика на осцилляции энергии Ферми металлической эллиптической нанопроволоки // Физика твердого тела. 2011. Т.53, вып.5, стр.847-852. вып.9, С.1813-1816.

  8. Дымников В.Д. Энергия Ферми электронов в тонкой металлической пластине // Физика твердого тела. 2015. Т.57, вып.5, С.847-852.


  1. Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А. Немонотонные размерные зависимости работы выхода нанопленок иттербия, осаждаемых на поверхность Si(111)7X7 при комнатной температуре // Физика твердого тела. 2008. Т.50, вып.2, С.355-359.

  2. Yaji K., Mochizuki I., Kim S., Takeichi Y., Harasawa A., Ohtsubo Y., Le Fèvre P., Bertran F., Taleb-Ibrahimi A., Kakizaki A., Komori F. Fermi gas behavior of a one-dimensional metallic band of Pt-induced nanowires on Ge(001) // Physical Review B. 2013. 87, pp.241413-1-241413-5.

  3. Бабич А.В., Погосов В.В. Квантовая металлическая пленка в диэлектрическом окружении // Физика твердого тела. 2013. Т.55, вып.1, С.177-185.

  4. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М. Наука, 1972. С. 620.

  5. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А., Физика низкоразмерных систем. Санк-Петербург Наука, 2001. С.104-105

  6. Zawadzki W., Raymond A., Kubisa M. Reservoir model for two-dimensional electron gases in quantizing magnetic fields: A review // Phys. Status Solidi B. 2014. 251, No. 2, 247–262.

  7. Михайлова М.П., Березовец В.А., Парфеньев Р.В., Данилов Л.В., Сафончик М.О. Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном поле // Физика техника полупроводников, 2017. Т.51, вып.10, С.1393-1399.

  8. Кочман И.В., Михайлова М.П., Вейнгер А.И., Парфеньев Р.В. Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой
    яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром // Физика и техника полупроводников. 2021. Т.55, вып.4, С.313-318.




  1. Кунецына Е.В., Андреев И.А., Коновалов Г.Г., Иванов Э.В., Пивоварова А.А., Ильинская Н.Д., Яковлев Ю.П. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур // Физика и техника полупроводников, 2018. Т.52, вып.9, С.1095-1099.

  2. S.Glutsch, F.Bechstedt and Doan Nhat Quang. Density of states of a two-dimensional electron gas in a perpendicular magnetic field and a random field of arbitrary correlation // Journal of physics: condensed matter. 2003. Vol.15, pp.1305 – 1323.

  3. Дубровский И.М. Новая теория электронного газа в магнитном поле
    и задачи для теории и эксперимента // Успехи физ. мет. 2016. Т.17, C.53–81.

  4. Kytin V.G., Bisquert J., Abayev I., Zaban A. Determination of density of electronic states using the potential dependence of electron density measured at nonzero temp // Physical review B. 2004. Vol.70, pp.193304-1- 193304-4.

  5. Dubrovskyi I.M. Density of one-particle states for 2D electron gas in
    magnetic field // Condensed Matter Physics. 2013, Vol. 16, No 1, pp.13001-1 - 13001-10.

  6. Sablikova V. A., Tkacha Yu.Ya. Singularity of the density of states and transport anisotropy in a two-dimensional electron gas with spin-orbit interaction in an in-plane magnetic field // Semiconductors, 2018. Vol. 52, No.12, pp.1581–1585.

  7. Andrey V. Krasavin, Petr V. Borisyuk, Oleg S. Vasiliev, Yaroslav V. Zhumagulov, Vladimir A. Kashurnikov, Uliana N. Kurelchuk, and Yuriy Yu. Lebedinskii. Calculation of density of states of transition metals: From bulk sample to nanocluster // Review of scientific instruments. 2018. Vol.89, pp. 033907-1-033907-5.

  8. Burmistrov I.S., Skvortsov M.A. On the effect of far impurities on the density of states of two-dimensional electron gas in a strong magnetic field // Pis`ma v ZhETF. 2003. Vol.78, Iss.3, pp.188-193.

  9. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Наноэлектроника. Часть 1. Москва, «Юрайт». 2019. С.248-257.

  10. Девятов Э.В. Основы физики низкоразмерных систем и режима квантового эффекта Холла. Черноголовка, Редакционно-издательский отдел ИПХФ РАН. 2014. С. 20-25.

  11. Бурмистров И.С. Введение в теорию целочисленного квантового эффекта Холла. Москва, Редакционно-издательский отдел ИПХФ РАН. 2015. С. 23-30.

  12. Глазков В.Н. Двумерные электронные системы в магнитном поле. Квантовый эффект Холла. Москва, «МФТИ». 2016. С.15-27.

  13. Борисенко С.И. Физика полупроводниковых наноструктур. Томск, изд. «Томского политехнического университета». 2010. С. 33-43.

  14. Неверов В.Н., Титов А.Н. Физика низкоразмерных систем. Екатеринбург, изд. «ИОНЦ нанотехнологии и перспективные материалы». 2008. С.71-80.

  15. Эркабоев У.И. Влияние температуры и давления на осцилляционные явления в полупроводниках в квантующем магнитном поле. Диссер. доктора философии (PhD) по ф.-м.н. Ташкент. АНРУз ФТИ. 2017. С.27-43.

  16. Эркабоев У.И. Квантовые осцилляционные явления в полупроводниковых структурах при воздействии внешних полей. Диссер. д.ф.-м.н. (DSc). Ташкент. ТашГТУ. 2019. С.68-85.

  17. Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Effect of temperature on the thermodynamic density of states in a quantizing magnetic field // Semiconductors. 2014, Vol. 48, No.10, pp. 1323-1328.

  18. Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. The de Haas-van Alphen effect at high temperatures and in low magnetic fields in semiconductors // Modern physics letters B. 2016. Vol. 30, No.7. pp.1650077-1-1650077-7.

  19. Gulyamov G., Erkaboev U.I., Baymatov P.J. Determination of the density of energy states in a quantizing magnetic field for model Kane // Advances in condensed matter physics. 2016. Vol.2016. pp.5434717-1-5434717-1.

  20. Gulyamov G., Erkaboev U.I., Gulyamov A.G. Influence of pressure on the temperature dependence of quantum oscillation phenomena in semiconductors // Advances in condensed matter physics. 2017. Vol.2017. pp.6747853-1-6747853-6.

  21. Schoenberg D. Magnetic oscillations in metals. New York, Wiley. 1986. pp.350-400.

  22. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. Москва, «Советское радио». 1967. С.416-421.

  23. Бовкун Л.С., Маремьянин К.В., Иконников А.В., Спирин К.Е., Алешкин В.Я., Potemski M., Piot B., Orlita M., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл // ФТП. 2018. Т.52, вып.11, С.1274-1279.

  24. Клочков А.Н. Электронный спектр в модулированно – легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP. Диссер. к.ф.-м.н. Москва, Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН. 2015. С.63-76.

  25. Hou-zhi Zheng, Aimin Song, Fu-hua Yang, and Yue-xia Li. Density of states of the two-dimensional electron gas studied by magneto capacitances of biased double – barrier structures // Physical review B. 1994. Vol. 49, No.3, pp.1802-1808.

  26. Карпович И.А., Филатов Д.О., Горшков А.П. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетеронаноструктур. Учеб. пособие. Нижний Новгород. Изд. «ННГУ». 2007. С.87.

  27. Федоров А.В. Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур. Учебное пособие. СПб: изд. «СПбГУ ИТМО»., 2009. С. 195.

  28. Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Соболев М.С. Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1−x−y // Физика и техника полупроводников. 2011, Т.45, вып. 9. С. 1209-1213.

  29. Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Клячкин Л.Е., Маляренко A.М., Хромов В.С. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния // Физика и техника полупроводников. 2021. Вып.12 С.1195-1202.

  30. Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П. Исследование параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса // Физика и техника полупроводников, 2021. Т.55, вып. 11. С.1059-1067.

  31. Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Резник Р.Р., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Калитеевский М.А., Иванов К.А., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Алфёров Ж.И. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона // Физика и техника полупроводников, 2016. Т.50, вып. 5. С.674-678.

  32. Хабибуллин Р.А., Щаврук Н.В., Павлов А.Ю., Пономарев Д.С., Томош К.Н., Галиев Р.Р., Мальцев П.П., Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Алфёров Ж.И. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников, 2016, Т.50, вып. 10. С.1395-1400.

  33. Павлова Е.Д., Волкова Н.С., Горшков А.П., Марычев М.О. Исследование квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs методами фотоэлектрической спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Учеб. пособие. Нижний Новгород. Изд. «ННГУ». 2012. С.142.

  34. Клочков А.Н. Электронный спектр в модулированно – легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP. Дисс. на соискание уч. ст. к.ф.-м.н.. Москва. 2015. С.63-77.

  35. Садовников С.И., Попов И.Д. Оптические свойства нанопорошков сульфида цинка и гетеронаноструктур ZnS/Ag2S // Физика твердого тела. 2020. Т.62, вып. 11. C.1787-1794.

  36. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaP–p-(InSb)1−x(Sn2)x // Письма в ЖТФ. 2020. Т.46, вып. 22.C.23-26.

  37. Суханов М.А., Бакаров А.К., Журавлёв К.С. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов // Письма в ЖТФ. 2021. Т.47, вып.3. C.37-39.

  38. Морозов С.В., Уточкин В.В., Румянцев В.В., Фадеев М.А., Разова А.А., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып.3. C.51-54.

  39. Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Паюсов А.С., Серин А.А., Корнышов Г.О., Надточий А.М., Кулагина М.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Максимов М.В., Жуков А.Е. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников, 2021. Т.55, вып.3. C.256-263.

  40. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. Учебное пособие. Саратов, изд. «СарГУ». 2013. С.128.

  41. Троян П.Е., Сахаров Ю.В. Наноэлектроника. Модуль 2. Гетероструктурная наноэлектроника. Учебное пособие. Томск. гос. ун-т сист. упр-я и радиоэл-ки. 2010. С. 95.

  42. Гапоненко Н.В., Холов П.А., Корнилова Ю.Д., Лашковская Е.И., Лабунов В.А., Мартынов И.Л., Осипов Е.В., Чистяков А.А., Каргин Н.И., Райченок Т.Ф., Тихомиров С.А. Фотонные кристаллы BaTiO3/SiO2, сформированные золь-гель методом // Физика и техника полупроводников, 2021. Т.55, вып. 10. С.912-915.

  43. Комков О.С. Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A3B5 (Обзор) // Физика твердого тела. 2021. Т. 63, вып. 8. С. 991-1012.

  44. Cardona P. Yu, M. Fundamentals of semiconductors. Springer, Berlin (2010). 778 p.

  45. Боднарь И.В., Фещенко А.А., Хорошко В.В., Павловский В.Н., Свитенков И.Е., Яблонский Г.П. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5 // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, вып. 8. С.669-672.

  46. Степанов Н.П., Калашников А.А. Закономерности температурных изменений спектров отражения инфракрасного излучения кристалла Bi0.8Sb1.2Te3 в области возбуждения плазменнных колебаний свободных носителей заряда и межзонных переходов // Оптика и спектроскопия, 2021, Т.129, вып. 5. С.619-625.

  47. Рагимов С.С., Багиев В.Э., Алиева А.И., Саддинова А.А. О ширине запрещенной зоны AgSbSe2 // Физика и техника полупроводников, 2021, Т.55, вып. 4. С. 291-298.

  48. Brusaferri L., Sanguinetti S., Grilli E., Guzzi M., and Bignazzi A. Thermally activated carrier transfer and luminescence line shape in self-organized InAs quantum dots // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol.69. Iss.22. pp. 3354-3356.

  49. Bayer M. and Forchel A. Temperature dependence of the exciton homogeneous line width in In0.60Ga0.40AsХGaAs self-assembled quantum dots // Physical Review B, 2002. Vol.65, pp.041308-1-041308-4.


  1. Ortner G., Schwab M., Bayer M., Passler R., Fafard S., Wasilewski Z., and Hawrylak P., Forchel A. Temperature dependence of the excitonic band gap in InxGa1−xAs/GaAs self-assembled quantum dots // Physical Review B, 2005. Vol.72, pp.085328-1-041308-4.

  2. В.П. Кунец, Н.Р.Кулиш, Вас.П. Кунец, М.П. Лисица, Н.И. Малыш. Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1−X // Физика и техника полупроводников. 2002. T.36, вып. 2. pp.227-231.




Download 3,97 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   35



Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha

yuklab olish