Мирзаев жасурбек исраилович

Рис.4.6. Зависимость ширины запрещенной зоны квантовой ямы твердого раствора In_xGa_1-xAs от температуры при d=5 нм, d=25 нм и при B=0




Рис.4.7. Влияния поперечного квантующего магнитного поля на температурную зависимость ширины запрещенной зоны квантовой ямы твердого раствора In_xGa_1-xAs.

Этот рисунок демонстрирует 3 графика . Из этих графиком видно, что наблюдаемые процессы квантования при низких температурах (Т<77 K), также наблюдаются в высоких температурах (Т>200 K). В большинстве экспериментов над квантовыми точками (r – средний радиус квантовых точек) [124; C.227-231], при высоких температурах и совпадают. Хотя, кажется, с ростом индукции магнитного поля графики перемещаются параллельно вверх. То есть, в краях зоны квантовой ямы основную роль играет . Но, из результатов, полученных нами видно, что приемлемые законы для , не всегда приемлемы для . Можно сделать вывод, что предлагаемая модель показывает не только сходство и но и их различия.

В работе [124; C.227-231 ] определялась ширина запрещенной зоны квантовых точек CdS_0.13Se_0.87 из спектров поглощения, которые измерялись стандартным способом и обрабатывались по методике [8,10]. Здесь, r=7,63 нм; β=143К; α=4,40^.10^-4 Эв^.К^-1 и . На рис.4.8а приведена экспериментальная зависимость для стекла КС-19 с квантовыми точками CdS_XSe_1−X (точки) и там же сплошной линией показано соответствующая расчетная зависимость для объёмная материала и этот график получен с помощью формула (4.6). Зависимость описывается формулой Варшни [122; C.1-4. 123; 1-4. 124; C.227-231]. На рис.4.8а можно наблюдать разницу зависимостей и в интервале температуры от 1К до 200 К, но при температуре Т>200 K эти результаты почти совпадают.

а )

б)