Мирзаев жасурбек исраилович

Рис. 1.13. Зависимость ширины запрещенной зоны Eg от ширины ЗМКЛ Z120: a - (l₁=l₂= 3), b-(l₁= 3, l₂= 6), A60: c-(l₁=l₂= 3), d-(l₁= 3, l₂= 6) [56; C.2066-2075].

Показано, что каждый энергетический переход квантовых точек обладает своим значением температурного коэффициента энергии dE/dT. Зависимость сдвига первого энергетического перехода электронно-дырочной пары в спектрах поглощения от температуры приведена на рис.1.14. Во всем диапазоне температур наблюдается линейная зависимость сдвига первого максимума полосы поглощения для всех размеров квантовых точек CdSe. По данным зависимостям был рассчитан экспериментальный температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны dEg/dT для всех размеров квантовых точек (рис. 1.15). Для квантовых точек CdSe видно отличие температурного коэффициента dEg/dT от такового для объемного полупроводника. Также значение коэффициента dEg/dT нелинейно зависит от размера квантовых точек. Так, для наночастиц с диаметрaми 2.4, 4.0, 5.2 нм. dEg/dT=−0.336, −0.354, −033 мэВ/K соответственно. Как и в работе [58; C.339-341], показано, что значения по модулю температурного коэффициента dEg/dT меньше, чем для объемного полупроводника.

В работе [59; С.1184-1188] исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In₂O₃), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7−8 нм, наибольший — 39−41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In₂O₃. Обнаружено, что в нанокристаллическом In₂O₃ оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In₂O₃.


Рис. 1.14. Зависимости энергии первого перехода для квантовых точек CdSe с диаметрами 2.4 (1), 4.0 (2) и 5.2 нм (3) от температуры [58; C.339-341] .

Рис. 1.15. Зависимость температурного коэффициента dEg/dT (для первого энергетического перехода) от размера квантовых точек CdSe [58; C.339-341] .
Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In₂O₃. В воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.
В работе [60; C.351-360] объясняют температурную зависимость ширины запрещенной зоны с учетом термического уширения энергетических состояний зоны проводимости и валентной зоны полупроводника. Получено аналитическое выражения для расчета E_g(B, T) в сильных магнитных полях. Кроме того, обсуждалось квантовый осцилляционный эффекты при различных температурах в объемных кристаллических материалах.
Однако до сих пор проблема влияния квантующего магнитного поля на температурную зависимость ширины запрещенной зоны гетероструктуры с квантовой ямы еще не решена полностью. С учетом термические уширении уровней Ландау разрешённой зоны квантовой ямы исследования таких гетеронаноструктур также отсутствуют. В то же время, исследования несут информацию о процессах зависимости ширины запрещенной зоны от размера толщины квантовой ямы при внешних воздействиях магнитного поля.