Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Диэлектрик билан изоляциялаш усули. Бу технология р–n ўтиш билан изоляцияланиб тайёрланган ИМСларга нисбатан яхши-роқ характеристикаларга эга микросхемалар яратиш имконини беради. Хусусан, изоляциялаш даражаси тахминан 6 тартибга орта-ди, тешилиш кучланиши катталашади, паразит сиғимлар тахминан 2 тартибга камаяди, радиацияга чидамлилик ортади, ИМС тез-корлиги ошади. Ушбу технология асосида кичик қувватли ва юқори тезликда ишлайдиган рақамли ИМСлар яратиш мақсадга мувофиқ, чунки бундай технологик жараён нархи планар-эпитаксиал техно-логияга нисбатан юқори.
Содда ИМС яратиш кетма-кетлиги 10.5-расмда кўрсатилган.
Ўтказувчанлиги n – турли асосга сурма ёки маргумуш 1÷2 мкмга диффузия қилиш йўли билан пластинанинг бутун юзаси бўйлаб n⁺ – ўтказувчанликка эга яширин қатлам ҳосил қилинади. Асосни n⁺ – қатлам томондан термик оксидлаб, унинг бутун юза-сида SiO₂ оксид қатлам ҳосил қилинади. Биринчи фотолитография ёрдамида ушбу қатламда изоляцияловчи соҳалар учун «дарча»лар очилади (10.5,а-расм), оксид билан ҳимояланган соҳалар емирилгани учун 8÷15 мкм бўлган «чуқурча»лар ҳосил қилинади (10.5,б-расм). Сўнг «чуқурча»лар юзалари оксидланади (10.5,в-расм). Бундан кейин оксидланган «чуқурча»лар томондан асос сиртига 0,2-0,25мм қалинликдаги поликристалл кремний ўстирилади. Поликристалл кремний кейинчалик бўлғуси ИМС асоси бўлиб хизмат қилади (10.5,г-расм).
Шундан сўнг асоснинг қарши томони оксид қатламгача шлифовка қилинади ёки емирилади (10.5,д-расм). Шундай қилиб, бир-биридан SiO₂ қатлам билан изоляцияланган, n⁺ – ўтказув-чанликли яширин қатламга эга n – соҳалар (чўнтакчалар) ҳосил қи-линади. Бу соҳаларда оксидлаш, фотолитография ва диффузия усуллари билан микросхема элементлари яратилади. База соҳа-ларини ҳосил қилишдан бошлаб кейинги жараёнлар планар-эпи-таксиал технология жараёнларига ўхшаш давом этади.
БТ асосидаги рақамли ИМСларнинг баъзи мантиқ элемент-ларида кўп эмиттерли ва кўп коллекторли транзисторлар қўлла-нилади.
Кўп эмиттерли транзистор (КЭТ)нинг шартли белгиланиши ва тузилмаси 10.6-расмда кўрсатилган.