Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Интеграл резисторлар. Интеграл резисторлар транзисторларнинг база ёки эмиттер соҳасини ҳосил қилиш операцияси билан бир вақтда тайёрланади. Резистор қаршилиги берк ҳолатдаги р–n ўтиш чегараси билан чекланган қатламнинг ҳажмий қаршилигидан иборат бўлади.
Эмиттер соҳа асосида қаршилиги 3÷100 Ом бўлган кичик қар-шиликли резисторлар ҳосил қилинади, чунки эмиттер қатламнинг солиштирма қаршилиги кичик бўлади.
Катта қаршиликли резисторлар нисбатан катта солиштирма қаршиликка эга база қатламда тайёрланади. Бундай резистор-ларнинг максимал қаршилиги 200÷300 кОм бўлади.
Интеграл конденсаторлар. Интеграл конденсторлар ҳосил қилиш учун ихтиёрий р–n ўтиш: коллектор - асос, база - коллектор, эмиттер - база, яширин n⁺ - қатлам - изоляцияловчи р – соҳа ишлатилиши мумкин. Тескари силжитилган р–n ўтишнинг барьер сиғими берилаётган кучланишга боғлиқ бўлади. Кўп ҳолларда коллектор ўтиш сиғими ишлатилади.
Интергал диодлар. Интеграл диодлар интеграл транзистор асосида ҳосил қилинади. Транзисторнинг исталган р–n ўтиши диод ҳосил қилиш учун ишлатилиши мумкин. Кўп ҳолларда база - эмиттер ўтиши, коллектор база билан туташтирилган ҳолда (U_КБ=0) ёки коллектор занжири узилган ҳолда (I_K=0) база - эмиттер ўтиш ишлатилади. Бундай диодларнинг очиқ ҳолатдан берк ҳолатга ўтиш вақти энг кичик бўлади.
ИМС тайёрлашда яримўтказгич асоснинг бир томонига ишлов берилади, ҳосил қилинган элементларнинг чиқиш электродлари пластина сиртида битта текисликда жойлашади. Шунинг учун «планар технология» деб ном берилган.



10.2-расм. Ишлаб чиқилаётган ИМСнинг принципиал схемаси.

Яримўтказгич ИМСларни тайёрлашда операциялар кетма- кетлиги микросхемада элементларни электр жиҳатдан изоляциялаш усуллари билан белгиланади: элементларни тескари силжи-тилган р–n ўтишлар билан изоялциялаш; диэлектрик (SiO₂ қатлам) ёрдамида изоляциялаш. Шу муносабат билан яримўт-казгич ИМСлар тайёрлашни иккита асосий жараёни:

а) элементларни р-n ўтиш билан изоляцияловчи планар – эпитаксиал технология;
б) диэлектрик қатлам SiO₂ ёрдамида изоляцияловчи планар – эпитаксиал технология мавжуд.