Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Пластиналарни кристалларга ажратиш ва йиғиш опера-циялари. Барча асосий технологик операциялар бажариб бўлин-гандан сўнг, юзларча ва ундан кўп ИСларга эга пластина алоҳида кристалларга бўлинади.
Пластиналар лазер скрайбер ёрдамида, яъни тайёрланган ИС-лар орасидан лазер нурини юргизиб кристалларга ажратилади. Иш-латишга яроқли кристаллар қобиқларга ўрнатилади, бунда кристалл аввал қобиққа елимланади ёки кавшарланади. Сўнг кристалл сирти-даги контакт юзачалар қобиқ электродларига ингичка (ø 20÷30 мкм) симлар ёрдамида уланади. Симлар уланаётганда термоком-прессиядан фойдаланилади, яъни уланаётган сим билан контакт юзачаси ёки микросхема электроди 200÷300 ⁰С температурада ва юқори босимда бир-бирига босиб бириктирилади. Монтаж опера-циялари тугагандан сўнг кристалл юзаси атроф муҳит атмосфераси таъсиридан ҳимоялаш учун қобиқланади. Одиий интеграл схема-ларда чиқиш электродлари сони 8–14 та, КИСларда эса 64 тагача ва ундан кўпроқ бўлиши мумкин. ИСлар қобиқлари металл ёки пласт-массадан тайёрланади. ИСларнинг қобиқсиз турлари ҳам мавжуд.
10.3. Биполяр транзисторлар асосидаги
интеграл микросхемаларни тайёрлаш

БТли ИМСлар элементлари (транзисторлар, диодлар, резис-торлар, конденсаторлар) асосини n⁺ – p – n тузилма ташкил этади.

ИМС тайёрлаш учун планар, планар-эпитаксиал техно-логиялардан фойдаланилади. Планар технологияда элементлар р – ёки n – турли яримўтказгич асосда ҳосил қилинади. Планар-эпи-таксиал технологиясида элементлар асос сиртига ўстирилган эпи-таксиал қатламда ҳосил қилинади.
Технология асосни (эпитаксиал қатламни) навбатма-навбат донор ва акцептор киритмалар билан легирлашга асосланади, нати-жада, сирт тагида турли ўтказувчанликка эга юпқа қатламлар ва қатламлар чегарасида р–n ўтишлар ҳосил бўлади. Алоҳида қатлам-лар резисторлар сифатида, р–n ўтишлар эса диод ва транзистор тузилмалари сифатида ишлатилади. Конденсаторлар сифатида тес-кари силжитилган р–n ўтишлар хизмат қилади.