shakl. To‘g‘ri kuchaytiruvchi priyomnikning prinsipial sxemasidagi elementlar jadval
iuzatadi. Rostlanmaydigan kondensator C4 ikkinchi blok bilan uchinchi blok- ni o‘zarobogMaydi. Uchinchi blok V2 tranzistor, R5, R6, R7, R8 rezistorlar va rostlanmaydigan kondensator C5 dan iborat. Kondensator va rezistorlar tranzistor- ning kerakli rejimda ishlashini ta’minlaydi. Uchinchi blok Ikkinchi blokdan keladigan yuqori chastotali radiotoMqinlarni yanada kuchaytirib, ularni to‘rtinchi blokka uzatadi. Rostlanmaydigan kondersator C6 uchinchi blok bilan to‘rtinchi bloklami o‘zaro bog‘laydi. To‘rtinchi blok V4, V5 yarim o‘tkazgich diodlar, rostlanmaydigan kondensator C8 va R9 potensiometrdan iborat. V4, V5 lar detektor vazifa-sini bajarib, yuqori chastota, o‘zgarmas tok va ovoz chastotasini ajratib C8 va R9 ga uzatadi. Yuqori chastota C8 orqali, o‘zgarmas tok esa R9 orqali korpusga beriladi. Shu bilan ular o‘z vazifasini tugatadi. Ovoz chastotasi esa C9 ga o‘tadi. Shunday qilib, yuqori chastotadan ovoz chastotasi (past chastota) ajratib olinib, C9 rostlanmaydigan elektrolitik kondensator orqali be- shinchi blokka uzaitaladi. Beshinchi blok RIO, R11, R12 rezistorlar, CIO elektrolitik kondensator, V3 tranzistor, transformator (Tp) va radiokamay (V) dan iborat. Rezistorlar va kondensator tranzistorning kerakli rej imda ishlashini ta’minlaydi. Transformator kondensatordan keladigan tovush chastotasini kerakli dara- jada moslashtirib, reduktorga uzatadi. Bir qutbli vklyuchatel (S) priyomnikni tarmoqqa ulab-uzish uchun xiz- mat qiladi. Cl- elektrolitik kondensator bo‘lib, chetdan bo‘ladigan turli xil (radio xalaqitlar) ta’sirlarini bartaraf etish uchun xizmat qiladi. Sxemaning elementlar jadvalini tuzamiz (10.6-shakl). §. Mikrosxemalar haqida umumiy ma’lumot
Hozirgi kundatexnologikjarayonlami mexanizatsiyalash va avtomatlash- tirishda elektron texnikadan keng foydalanilmoqda. Sanoat obyektlari kun- dan-kunga elektron apparatlar bilan uzluksiz ravishda ko‘p miqdorda ta’minlanmoqda. Shu sababli kichik oMcham vaog‘irlikka ega boMgan yuqori iqtisodiy tejamli, ishonchli va yuqori funksional murakkablikdagi elektron buyumlardan foydalanish zarurati paydo boMmoqda. Zamontalabi buyumni minimal oMcham vaogMrlikdaboMishini ta’minlash alohida-alohida juda kichik hajmdagi radio detallardan tashkil topgan va bir- biri bilan o‘zaro kavsharlangan yoki payvandlangan hamda maxsus korpus- larda germetik joylashtirilgan mikromodul-qurilmalar yaratishni taqozo et- moqda. Elektron qurilmalarning ishlash sifatining oshishi va ular gabarit o‘lchamlarining kichrayishi ко p jihatdan ulardagi ulanishlar va elektr o‘tkazgich simlar umumiy sonining kamayishi bilan bogMiq bo‘lib, hozirgi kunda ana shunday prinsipda ishlaydigan elektron apparatlardan foydalaniladi. Mikroelektron qurilmada barcha yoki bir qism elementlari o‘zaro uz- viy bog‘liq va ular o‘zaro bir-biri bilan ulangan ana shunday bir butun konstruktiv qurilma integralmikrosxema deyiladi. Ularning elementlari tashqi vi vodga (vi vod - teleradioapparat yoki telefon simining ulash uchun tashqariga chiqib turgan qismi) ega emas va ular alohida buyum sifatida qaralmaydi. Ishlab chiqarish texnologiyasiga ko‘ra mikrosxemalar yarim о ‘tkazgichli va gibrid mikrosxemalarga boMinadi. Yarim о ‘tkazgichliintegralsxema у ax\\l funksional qurilma bo‘lib, uning elementlari bir xil hajmda tayyorlanadi va yarim o‘tkazgichli material sirtida joylashgan boMadi. Mikrosxemani yaratishda qurilma yarim o‘tkazgichli materialining alohida mikrouchastka (juda kichik qism)lariga maxsus ishlov berish yoMi bilan aktiv' (diod, tranzistorlar) va passiv1 (rezistor, kondensator, induktiv g‘altaklar) elementlarning funksiyalariga mos xossalar beriladi. Elementlarning oMchamlari bir va o‘nlab mikrometrlarda oMchanadi. Qurilmaning yarim o‘tkazgichli material kristallida tayorlangan barcha elementlari bir-biri dan izolyatsiya qilingan. Elementlar ulanishining bir qismi kristall hajmida va bir qismi himoya qatlamida bajariladi.
Gibrid integral mikrosxema qurilmada elementlarining bir qismi (odat- da, passiv elementlari)da elektrik material sirtida joylashgan plyonkalar ko‘rinishida tayyorlanadi. Qolgan element (aktiv) lari odatdagidek, alohida konstruktiv ko‘rinishda tayyorlanadi. Plyonkaning qalinligiga ko‘ra yupqa- plyonkali (plyonka qalinligi 1 mkm gacha) va qalinplyonkali
(plyonka qalinligi 10 mkm dan yuqori) gibrid mikrosxemalarga bolinadi. Dielektrik material sirtida joylashgan va elementlari plyonka shaklida tayyorlanadigan mikrosxemalar, aktiv plyonkali elementlar tayyorlash jarayonining murakkabligi sababli sanoatda ishlab chiqarilmaydi. Yuqorida qaralgan mikrosxemalardan tashqari aralash deb ataluvchi integral mikrosxemalar mavjud bo‘lib, ularning aktiv elementlari kristall yarim o‘tkazgichlardan iborat bo‘lib, passiv elementlari esa plyonka ko‘rinishdatayyorlanib, kristall yarim o‘tkazgichlar sirtida joylashgan boMadi. Yuqorida ко‘rilgan har bir mikrosxema o‘ziga xos maxsus konstruksiya va tayyorlanish texnologiyasiga ega. Mikrosxemalami konstruksiy- alash (tayyorlash) uning tarkibiy sxemasini tuzishdan boshlanadi va shu asosda prinsipial elektr sxemalar tayyorlash qoidalari asosida uning mikrosxemasi bajariladi. Keyin mikrosxema tayyorlash texnologiyasi tanlanadi. shaklda umumiy bazaga ega bo‘lgan umumiy elektron va umumiy kollektorli2 rangli va qora-oq televizorlarda ishlatiladigan universal kuchay-
tirgichning prinsipial sxemasi keltirilgan. Amalda texnologiyasi eng oddiy va arzon narxli qalin plyonkali mikrosxemalarko‘p sonda ishlab chiqariladi (10.7- shakl).
Sopol asosga maxsus trafaretlar yordamida elektr quvvatini o‘tkazuvchi va rezistorlar hosil qiluvchi gil pastalarsurtilib, quyma tayyorlanadi. So‘ngra pastali quymalar 400-600°C issiqlikda pishiriladi. Shundan keyin osma elementlar3 (ikkita kondensator va tranzistor) o‘matiladi. Mikrosxema maxsus plastmas-
