Mavzu: elektronlarning radiatsion tormozlanishi

II BOB. TAJRIBALAR UCHUN NAMUNALAR TAYYORLASH VA

O`LCHASH USULLARI

II.1 NAMUNALAR TAYYORLASH

Dastavval tadqiqotlar uchun kremniy monokristallidan namunalar tayyorlandi. Tajribalar uchun namunalar tayyorlash usulini ko`rib chiqaylik. Asosiy material sifatida Si monokristallining KDB-10 markazidan kesib olinib qayta ishlashga tayyorlandi. Bundan tashqari tadqiq qilinuvchi jarayonlarga o`tkazuvchanlik turi va kirishma kontsentratsiyasi ta'sirini o`rganish maqsadida tigelsiz o`stirilgan solishtirma qarshiliklari ρ=(2,7÷10)103 Om. va kristall orientatsiyasi (111) bo`lgan kremniy, hamda fosfor bilan legirlangan va solishtirma qarshiliklari KEF-20 va (111) yunalishda o`stirilgan kremniy olindi. Bundan tashqari kristall yo`nalishi (111) bo`lgan n-tur o`tkazuvchanlikli qarshiliklari ρ200 om.sm. ρ=20-25 Om.sm. bo`lgan “Wacker” firmasining kremniy materialidan namunalar ham tayyorlandi. Ushbu kremniy monokristallaridan parallelepiped shaklidagi o`lchamlari 8x8x1 mm3, 8x3x1 mm3, 10x5x0,4 mm3 bo`lgan namunalar o`sish o`qiga perpendikulyar qilib kesib olindi. Monokristall sirtiga ishlov berishining tadqiqotlarga ta'sirini o`rganish uchun quyidagi turdagi sirt ishlov berish turlari qo`llanildi:

1. 
   Namuna sirti namuna (abraziv) diametri borgan sari kichraygan holda batafsil silliqlanib keyin tozalangach, HF:HNO3:CHCOOH-1:3:0,5 tarkibli o`yuvchi vositasida sirti shikastlangan qatlam yuqotilguncha ishlov berildi, va suvda yuvildi.
   
2. 
   Fizik-kimyoviy usullar yordamida oynaday silliqlangan Si namunali ham tadqiqotlar uchun qo`llanildi. Bunda namuna sirtida shikastlangan qatlam deyarli qolmaydi.
   
3. 
   Keyin namunalarga potensial to`siq va omik qatlam hosil qiluvchi metallar yordamida Shottki diodi tayyorlandi.
   
4. 
   Tayyorlangan namunalarning barchasida 4 zondli usul vositasida solishtirma qarshiliklari o`lchab olindi.