Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш. 
2-бандда ўлчанган бошқарув характерискаларини 2.1 – ифода ѐрдамида 
аппроксимацияланг. Аппроксимация натижаларини қурилган I
С
=f(U
ЗИ
) графигида акс 
эттиринг.
Бошқарув характеристикаларидан фойдаланиб, транзистор тиклигини
U
СИ
=1/3U
СИ.ЧЕГ
ишчи нуқтада аниқланг 

---

33 
const
cu
U
U
I
S
И
C




3
S қийматини худди шу нуқта учун 2.2 – формула ѐрдамида ҳам аниқланг. 
3-бандда ўлчанган чиқиш характеристикалар оиласида U
СИ ТЎЙ
=U
ЗИ 
– U
БЎС
оралиққа мос келувчи, чизиқли режим билан тўйиниш режими орасидаги чегарани 
кўрсатинг. 
Чиқиш характеристикалар оиласидан фойдаланиб, қуйидаги ишчи нуқталар учун 
транзистор чиқиш қаршилигини аниқланг: 
- тўйиниш режимида (U
СИ
=1/3U
СИ ЧЕГ
, U
ЗИ
=0,25 U
ЧЕГ
); 
- чизиқли режимда U
СИ
=0 ва затвор кучланишининг учта қийматида (U
ЗИ
=0; 0,25U
БЎС
; 
0,5U
БЎС
). 
Ҳисоблашлар натижаларини 2.4 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб 
чизиқли режим учун r
ЧИҚ
нинг U
ЗИ
га боғлиқлик графигини қуринг. 
2.4 – жадвал 
U
ЗИ
,В 
R
ЧИҚ
, кОм 
U
СИ
=1/3U
СИ ЧЕГ
 
U
СИ
=0 
U
ЗИ
=0 
 
 
U
ЗИ
=0,25U
ЧЕГ
 
 
 
U
ЗИ
=0,5U
ЧЕГ
 
 
 
4-бандда ўлчанган бошқарув характеристикаларида, турли температураларда 
ўлчанган бошқарув характеристикалари кесишадиган термо барқарор нуқтанинг I
СТ
ва 
U
ЗИТ
координаталарини аниқланг. 
Ҳисобот мазмуни. 
1) тадқиқ этилаѐтган транзистор паспорт кўрсатмалари;
2) ўлчаш схемаси; 
3) ўлчанган боғлиқликлар жадвал ва графиклари; 
4) бошқарув характеристикасининг аппроксимация, ҳисобланган транзистор 
характеристикасининг тиклиги S ва чиқиш характеристикалари r
ЧИҚ
натижалари.