Баъзи кристаллар учун Дебай температураси °К

пропорционал бўлиб, юқори температураларда эса 3R га тенг бўлади (Дюлонг ва Пти қонуни). Демак, Дебай температурасидан юқори температураларда иссиқлик сиғимининг классик назарияси, паст температураларда эса квант назарияси ўринлидир.
Баъзи кристаллар учун Дебай температураси °К:

Аl = 398 Аu = 180 Сu = 315

Fе = 420 Gе = 362 NаС1 = 281

Ni = 370 W = 310 С = 1860

Температура ўзгариши кристалл панжаранинг тебранишини ўзгартиради, яъни фонон энергиясининг ўзгаришига олиб келади. Паст температураларда кристаллвр иссиқлик сиғимининг температурага боғлиқлиги панжара тугунларидаги атомлар тебраниши натижасидир.
Фононлар кристалларда заряд ташувчилар учун сочилиш маркази бўла олади. Идеал кристаллар қатъий даврий электр потенциалига эга бўлганлиги сабабли абсолют ноль температурада ҳаракатчан электрон ва тешиклар ҳеч қандай қаршиликсиз худди бўшлиқдагидек ҳаракат қилган бўлар эди. Температура ортиши билан иссиқлик тебраниши натижасида кристаллнинг идеаллиги бузилади. Бу эса ўз навбатида кристалл панжара даврий потенциалининг ўзгаришига олиб келади. Бинобарин, заряд ташувчиларнинг ҳаракатига таъсир кўрсатади.
Иссиқлик мувозанатида ярим ўтказгичлардаги заряд ташувчилар концентрацияси аралашмаларнинг фононлар билан бўладиган ўзаро таъсири натижасида юзага келади. Металларда электронларнинг фононлар билак тўқнашиш тезлиги ортиб борса, уларнинг қаршилиги ортиб боради. Ярим ўтказгичларда эса заряд ташувчиларнинг мувозанатдаги концентрациясининг ортиши ҳисобига электр ўтказувчанлик ортиб қаршиликнинг камайишига сабаб бўлади.
Умуман, қаттиқ жисмларнинг температурага боғлиқ бўлган хусусиятларида фонон бевосита иштирок этади.
Ярим ўтказгичларда паст температураларда юз берадиган „эргаштириш" эффектининг асосий сабабчиси ҳам фононлардир.