Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

режим деб аталади. Затворга берилган манфий кучланишнинг маълум қийматида сток 
токи нолгача камаяди (берк режим), ушбу кучланиш беркитиш кучланиши U
ЗИ.БЕРК
деб 
аталади. 
а) б) 
1.6 – расм. n – канали қурилган МДЯ – транзистор тузилмаси (а) ва бундай 
транзисторларнинг шартли график белгиланиши (б). 
Агар затворга мусбат кучланиш берилса, ушбу кучланиш ҳосил қилган майдон 
таъсирида исток, сток ҳамда кристалл асосдан электронлар каналга кела бошлайди, канал 
ўтказувчанлиги ва сток токи қиймати ортади. Ушбу режим канали бойитилган режим 
деб аталади. 
Қўриб чиқилган жараѐнлар 1.7, а – расмда кўрсатилган статик сток – затвор 
характеристика U
СИ
  = const бўлгандаги I
С 
= f (U
ЗИ
) да акс эттирилган. 
Демак, U
ЗИ

0 бўлганда транзистор канали бойитилган режимда, U
ЗИ

0 бўлганда 
эса, камбағаллашган режимда ишлайди. 
Канал бойитилган режимда (1.7, б – расм) транзисторнинг сток характеристикалари 
бошланғич U
ЗИ
=0 бўлгандаги характеристикадан юқорироқдан, канали камбағаллашган 
режимда эса – бошланғич характеристикадан пастроқдан ўтади. 
n – канали қурилган МДЯ – транзисторнинг сток – затвор характеристикаси шакли 
бўйича n – канали индукцияланган транзисторнинг шундай характеристикаси билан бир 
хил бўлади, лекин U
ЗИ
кучланишнинг манфий қийматларига U
БЎС 
дан U
ЗИ.БЕРК 
гача 
сурилган бўлади. Канали қурилган МДЯ – транзисторнинг сток – затвор ва сток 
характеристикалари канали индукцияланган МДЯ – транзисторлар характеристикалари 
каби тушунтирилади. 

---

18 
Сток – затвор ва сток характеристикалар ўзаро боғлиқ бўлиб, график усулда бири 
иккинчисидан ҳосил қилиниши мумкин. 
а) б) 
1.7 – расм. n – канали қурилган МДЯ – транзисторнинг
сток – затвор (а) ва сток (б) характеристикалари.