Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

Сток 
– 
затвор 
характеристикалар 
оиласи. 
Транзисторнинг 
сток 
характеристикаларидан ташқари, унинг сток – затвор (узатиш) U
СИ
=const бўлгандаги 
I
C
=f(U
ЗИ
) характеристикалари кенг ишлатилади (1.5, б – расм). 
Сток – исток кучланиши U
СИ 
> U
СИ.ТЎЙ 
(тўйиниш режими) бўлганда узатиш 
характеристикалари (U
ЗИ
-U
0
)
2
қийматга пропорционал. 1.5, б – расмдаги пастки 
характеристика (U
СИ 
< U
СИ.ТЎЙ
) кичик кучланишга, яъни сток характеристикаларнинг тик 
соҳаларига (канали текис ўзгариш режимига) мос келади. Ушбу характеристика бир 
жинсли каналга мос келгани учун чизиқли. 
Канали қурилган МДЯ – транзисторлар тузилиши ва ишлаш принципи. n – 
канали қурилган МДЯ – транзистор тузилмаси 6.9, а – расмда ва шартли график 
тасвирланиши 6.9, б – расмда келтирилган. 
Бундай транзисторларда исток ва сток орасида жойлашган ток ўтказувчи канал 
транзисторни тайѐрлаш жараѐнида ҳосил қилинади. Шунинг учун бундай транзистор 
канали “қурилган” МТ деб аталади. Канал ион легирлаш усули билан яримўтказгич 
сиртига яқин соҳаларда юпқа қатлам ҳосил қилиш билан амалга оширилади. Канали 
қурилган МДЯ – транзисторлар истокка нисбатан затворга икки хил ишорали 
кучланишлар берилганда ҳам ишлай олади. 
Агар U
ЗИ
= 0 бўлганда транзисторга U
СИ
кучланиш берилса, канал орқали 
электронлар токи оқади. Бу ток стокнинг бошланғич токи I
С.БОШЛ
деб аталади. Затворга 
истокка нисбатан манфий кучланиш берилганда каналда ток йўналишига кўндаланг 
электр майдон ҳосил бўлади. Бу майдон таъсирида электронлар каналдан суриб 
чиқарилади. Каналда электронлар сони камаяди (канал камбағаллашади), унинг 

---

17 
қаршилиги ортади ва сток токи қиймати камаяди. Затвордаги манфий кучланиш қиймати 
ортган сари, ток қиймати камаяверади. Транзисторнинг бу режими камбағаллашган