Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

 
 
1.3. МДЯ – транзисторлар 
 
МДЯ – транзисторларда метал затвор яримўтказгичдан юпқа диэлектрик қатлам 
билан изоляцияланган бўлади. Бундай тузилма ўзига хос конденсаторни ташкил этади. 
Конденсаторнинг битта қопламаси яримўтказгичдан иборат. Конденсатор қопламаларига 
перпендикуляр йўналган ташқи электр майдон таъсирида яримўтказгичнинг сиртқи 
қатламида эркин заряд ташувчилар концентрацияси ўзгаради. Бу ҳодиса майдон эффекти 
деб аталади. Майдон йўналиши ва унинг кучланганлигига боғлиқ ҳолда яримўтказгичнинг 
сиртқи қатлами асосий заряд ташувчилар билан бойиши ѐки камбағаллашиши ҳамда 
ўтказувчанлик тури ўзгариши (инверсияланиши) мумкин.
Канали индукцияланган МДЯ – транзистор тузилиши ва ишлаш принципи. n – 
канали индукцияланган МДЯ – транзистор тузилмаси 1.4, а – расмда, шартли 
белгиланиши эса 1.4 , б – расмда кўрсатилган. 
а) б) 
 
1.4 – расм. n – канали индукцияланган МДЯ – транзистор тузилмаси (а) ва 
n – ҳамда р – МДЯ транзисторларнинг график шартли белгиланиши (б). 

---

14 
р – турли кремнийдан иборат асос суст легирланган бўлиб, акцепторлар 
концентрацияси тахминан 10
15 
см
-3
ни ташкил этади. Асос сиртида диффузия ѐки ион 
легирлаш усуллари билан қалинлиги 1 мкм га яқин n
+ 
– ўтказувчанликка эга бўлган 
чўнтаксимон исток ва сток соҳалар ҳосил қилинган. Исток ва сток орасидаги узунлиги 
L=0,1÷10 мкмни ташкил этувчи соҳа канал узунлигини ташкил этади. Яримўтказгич 
сиртида қалинлиги 0,05-0,1 мкмни ташкил этувчи диэлектрик (SiO
2
) қатлам ҳосил 
қилинган. Диэлектрик сиртига затвор деб аталувчи металл электрод ўрнатилган. Исток ва 
сток соҳалари билан асос орасида иккита n
+
- p ўтишлар ҳосил бўлади. МДЯ тузилмага 
исток ва стокни қўшиш инверс қатлам (n - канал) ҳосил қилиш жараѐнига кескин таъсир 
этади. Ўтишларнинг камбағаллашган соҳалари расмда штрихлаб кўрсатилган. 
Затвор метали билан яримўтказгич орасидаги солиштирма сиғим С