Лабораторная работа №2 Исследование биполярного транзистора

3. Hisobotni tayyorlash
─ Ishning nomi va dasturi.
─ Tadqiq etilayotgan sxemalar, ostsillogrammalar, jadvallar, grafiklar.
─ Ish bo`yicha xulosalar berish.
─ Nazorat savoliga javob berish.


4. Nazorat savollari
─ Tranzistorning stok elektrodida kuchlanishning keskin ortishi nima bilan izohlanadi?
─ Tranzistorning ulanish jarayonini tushuntiring.
─ Tranzistorning o`chish jarayonini tushuntiring.
─ Ochiq holdagi maydonli tranzistorning almashuv sxemasini chizing, unga kiruvchi parametrlarning haroratga bog`liqligini tushuntiring va statik isroflarni topib hisoblash uchun ifodani yozing.
─ Maydonli, bipolyar va IGBT tranzistorlar o`rtasidagi tafovutlar qaysilar?
─ Maydonli tranzistorning «dinamik» ekvivalent sxemasini chizing va uning komponentlarini tushuntiring.
─ Galьvanik ajratilgan impulьslarni shakllantiruvchi sxemaning ikkita variantini taklif qiling. Ularning ishlash printsipini tushuntiring.
─ Maydonli va IGBT tranzistorlar tok bo`yicha himoyasining usullari haqida hikoya qiling. Shunga o`xshash himoyali impulьslarni shakllantiruvchi sxemaning variantini taklif qiling va uning ishlash printsipini tushuntiring.

Rasm 6.1
Rasm 6.2
Rasm 6.3


Laboratoriya mashg`uloti № 08
Kuch diodlarini tadqiq qilish


Ishdan maqsad:
Ushbu laboratoriya ishining maqsadi kuch diodlrining asosiy xarakteristikalarini eksperimental tadqiq qilish


1. Foydalaniladigan elementlar
─ Diodlar ─ VD1 ─ D226B, D7G, stabilitron D814B.
─ Rezistorlar ─ R1 = R3 = 1 k; R2 = 120 Om.
─ Operatsion kuchaytirgichda tuzilgan generatorning A1 moduli.
─ Tranzistor VT1 ─ IRF630.
─ Shuntlar Rsh1, Rsh2.
2. Ish dasturi

Rasm 7.1
─ Diodlarning asosiy parametrlarini tadqiq qilish.
─ Rasm 7.1 sxemani yig`ish.
─ Ostsillograf yordamida diodlarning VAXlarini olish: D226B, D7G va stabilitron D8154B. VAXlarni olish uchun ostsillografning X-Y rejimidan foydalaning.
─ Rasm 7.2 sxemadan va diodlarning olingan VAXlaridan foydalanib, U<sub>por</sub> (porogovыy-chegaraviy), U<sub>stab</sub>, R<sub>din</sub>, I<sub>tesk</sub>larni aniqlang (R1 raqamli volьtmetr ─ TSV bilan o`lchansin).

Rasm 7.2
─ Diodlarni parallel ulash.
─ Rasm 7.3 sxemani yig`ish (shuntlar qarshiliklarini raqamli volьtmetr ─ TSV bilan o`lchash).
─ Quyidagi hollar uchun toklar o`lchansin:
a) VD1 ─ D226B, VD2 ─ D7G;
b) VD1, a) VD2 ─ D226B.
─ Avvalgi punktda olingan ma’lumotlarni izohlang.

Rasm 7.3
─ Diodlarni ketma-ket ulash.
─ Rasm 7.4 sxemani yig`ish.

Rasm 7.4
─ Diodlardagi kuchlanishlar ostsillogrammalarini olish:
a) R2, R3 rezistorlarsiz;
b) R2, R3 rezistorlar bilan.
─ Avvalgi punktda olingan ma’lumotlarni izohlang.
─ Kuch diodlari dinamik xossalarini tadqiq qilish.
─ Rasm 7.5 sxema yig`ilsin (VD1 ─ KD213).

Rasm 7.4
─ VD1 dioddagi tok va kuchlanishlar ostsillogrammalari olinsin va fazalari rostlansin. Diod o`chishi jarayonini kattalashtirilgan ko`rinishida chizilsin.
─ Diodning tok ostsillogrammasi bo`yicha teskari tiklanish vaqti va teskari tiklanish zaryadi aniqlansin.