Количественное измерение и двухфотонное использование линий кругового дихроизма в зоновых сеточных полупроводниках


§ 4.2.1. Сравнение теории и экспериментальных результатов



Download 5,77 Mb.
bet7/7
Sana15.04.2023
Hajmi5,77 Mb.
#928633
1   2   3   4   5   6   7
Bog'liq
Translated copy of Untitled document

§ 4.2.1. Сравнение теории и экспериментальных результатов


Следует отметить, что количество квантованных состояний электронов и легких дырок в потенциале и уменьшается с уменьшением размера, но так как тяжелые полости имеют большое значение массы, они ощущаются потенциальной средой бесконечной глубины. Действительно (4.2.5) для электронов в потенциальной среде размером Å три, для легких лощин есть две ситуации. Из уравнения (4.2.5) Å-мерный потенциал имеет по одному состоянию для электронов и легких дырок, что соответствует будет энергичным. согласно соотношению (4.2.7). двухфотонные оптические переходы для геометрии, когда разность порядковых номеров конечного и начального состояний нечетна, т.е. будет разрешено в условии. В этом случае из-за запрета оптических переходов в зоне проводимости сетки тяжелых пор Коэффициент двухфотонного поглощения света равен нулю в потенциале размером Å, но Angström ulchamli потенциал правительства Из-за количества случаев, отличается от измеренного потенциала, происходит двухфотонное поглощение света.
[95, стр. 013376-1-013376-15] по результатам экспериментов и в геометрии В Å-плотном потенциале двухфотонное поглощение света не происходит, и оно наблюдается в оптических переходах. С другой стороны энергии в количественно анализируемых спектральных полях меньше энергии, соответствующей оптическому переходу. По этой причине [95, стр. 5876-57-879] автор работы пришел к выводу, что не должно происходить двухфотонного поглощения света. Однако, как отмечалось выше, Для электронов и легких дырок в потенциальной среде размером Å нет энергетических состояний, удовлетворяющих условию. Итак, расчеты показывают, что геометрия не должна соблюдаться не только в области спектра, изучаемой в [95, 013376-1-013376-15 с.], но и в других областях. Коэффициент двухфотонного поглощения света на рис. 4.6. нинг структура интенсивлиги при облучении лазером и Приведена спектральная связь, рассчитанная по значениям Å, пределы резких (депсиниб) изменений, характеризуемых связью спектральной связи через тета-функцию [95, 013376-1-013376-15 стр.], согласуются с экспериментальными результатами, зафиксированными в работе, но полный спектр, наблюдаемый в эксперименте, не может быть полностью объяснен этими полученными теоретическими результатами. Эту ситуацию, на наш взгляд, можно объяснить, учитывая непараболическую связь в энергетическом спектре носителей тока, зависимость эффективной массы дырок и фермиевской энергии носителей тока от порядкового номера квантованного размера уровни. Также в области низких температур необходимо учитывать не только оптические, но и оптические переходы с участием акустических фононов. В эксперименте свет распространяется через границу раздела структуры выбрана геометрия. В геометрии потенциал конечной глубины имеет числовую размерность, аналогичную размерности режима



Рисунок 4.6. Коэффициент двухфотонного поглощения света нинг интенсивность при облучении лазером и Å - расчетная спектральная связь по отношению к величинам. Свет рассеивается по границе раздела структуры выбрана геометрия. Результаты эксперимента [95, стр. 013376-1-013376-15] взяты из работы,Оз - направление одномерного квантования к осевому интерфейсу.

Допускаются двухфотонные оптические переходы света на квантованные поверхности, поскольку в этом случае только диагональные матричные элементы оператора принимают значение, отличное от нуля, т. е. числовая разность порядков конечного и начального квантованных состояний равна нулю: требуется выполнение условия. В результате коэффициент двухфотонного поглощения света согласно выражению (4.2.8) Он отличен от нуля только тогда, когда принимает пару значений и его уменьшается с увеличением разницы. На самом деле эффективные массы легких и тяжелых дырок зависят еще и от порядкового номера квантованных энергетических уровней фермиевской энергии носителей (см., например, [53, с.-206]). Однако внимание к этим случаям требует отдельного исследования, в связи с чем в диссертации такие вопросы не рассматриваются. Также энергия представляет собой энергию оптических фононов ( ) фотовозбужденные носители тока могут излучать или поглощать оптические фононы из одномерного квантованного состояния в двумерное квантованное состояние в двумерном пространстве (рис. 4.7). При этом, конечно, происходят невертикальные оптические переходы, и это требует отдельного исследования, так как расчет матричных элементов оптических переходов требует учета не только электрон-фотонного, но и электрон-фононного взаимодействия. В полученных расчетах в зависимости от симметрии исследуемого кристалла и температуры образца необходимо выбрать оператор взаимодействия Фрелиха или деформации, описывающий электрон-фононное взаимодействие [35, -560 с.; 32, -333 с.; 53, -206 с.]. В диссертационном исследовании, как было сказано выше, ограничивается только вертикальными оптическими переходами.
Выводы главы 4

  1. Проведен теоретический анализ размерного квантования и многофотонного поглощения поляризованного света в полупроводниках в приближении многозонной (Каина) модели. При этом матричные элементы эффективного гамильтониана носителей тока предполагались линейно связанными с их волновыми векторами, т. е. не учитывались квадратичные члены, связанные с волновыми векторами.

  2. При многофотонном поглощении поляризованного света физические параметры отдельных захваченных фотонов предполагались одинаковыми. При этом теоретически анализировался линейный круговой дихроизм коэффициента многофотонного поглощения и обращалось внимание на возникновение оптических переходов в двумерном импульсном пространстве.

  3. Обе стороны ограничены потенциальными барьерами и резкими, но конечными на интерфейсе границами зоны проводимости и валентной зоны, т.е. квантованный урал с переменным размером, например. теоретически проанализированы и сопоставлены с экспериментальными результатами двухфотонное поглощение, линейный круговой дихроизм и поглощение поляризованного света в различных структурах.

  4. Расчеты показывают, что чем меньше толщина измеряемого квантованного гало, тем двухфотонные оптические переходы, разрешенные при поглощении поляризованного света определенной частоты, уменьшаются в зависимости от ориентации вектора поляризации относительно измеряемого направления квантования, а по мере в результате в рассматриваемой структуре Выяснилось, что так сложно наблюдать круговой дихроизм с двухфотонной линией поглощения в гетероструктуре.

  5. При этом поглощение поляризованного света осуществляется в два отдельных этапа, то есть в пространстве двумерных импульсов в направлении, перпендикулярном размерному квантованию, происходят оптические переходы между дискретными (размерно-квантованными) уровнями энергии в другое направление, как в объемном кристалле, и правила отбора в обеих стадиях разные.




Рис. 4.7. Оптическая фононная энергия ( ) диаграммы перехода фотовозбужденных носителей тока в двумерном пространстве из одномерного квантованного состояния в двумерное квантованное состояние в присутствии оптических фононов.



Выводы


  1. С учетом когерентного эффекта насыщения в приближении Кейна были определены корреляции матричных элементов межзональных оптических переходов решетчатого зонного кристалла по степени поляризации, т. е. компоненты вектора поляризации, рассчитаны спектральная и температурная корреляции коэффициента однофотонного поглощения поляризованного света.

  2. В трехзонном приближении проведена классификация двухфотонных оптических переходов между зонами узкозонного полупроводника по модели Кейна и выражения зависимости от параметров зон образца соответствующих элементов матрицы и степени поляризации света определенный. Межзонные оптические переходы анализируются с упором на начальное и конечное состояния носителей тока, а также на то, находятся ли промежуточные состояния в полупроводниковой зоне проводимости, валентной зоне или спин-орбитальных уширенных зонах.

  3. Создана теория линейного кругового дихроизма, связанного с межзонными одно- и двухфотонными оптическими переходами, и на ее основе рассчитаны спектральная и температурная зависимости коэффициента поглощения поляризованного света.

  4. Проведен теоретический анализ размерного квантования и многофотонного поглощения поляризованного света в полупроводниках в приближении многозонной (Каина) модели. При этом матричные элементы эффективного гамильтониана носителей тока предполагались линейно связанными с их волновыми векторами, т. е. не учитывались квадратичные члены, связанные с волновыми векторами.

  5. При многофотонном поглощении поляризованного света физические параметры отдельных фотонов: вектор поляризации и частота полагались одинаковыми. При этом был теоретически проанализирован линейный круговой дихроизм коэффициента многофотонного поглощения, с акцентом на возникновение оптических переходов в двумерном импульсном пространстве.

  6. Ограничен с обеих сторон высокими потенциальными барьерами и резкими, но конечными на интерфейсе границами зоны проводимости и валентной зоны, т.е. квантованный урал с переменным размером, например. теоретически проанализированы и сопоставлены с экспериментальными результатами двухфотонное поглощение, линейный круговой дихроизм и поглощение поляризованного света в различных структурах.

  7. Расчеты показывают, что чем меньше толщина измеряемого квантованного гало, тем двухфотонные оптические переходы, разрешенные при поглощении поляризованного света определенной частоты, уменьшаются в зависимости от ориентации вектора поляризации относительно измеряемого направления квантования, а по мере в результате в рассматриваемой структуре Выяснилось, что так сложно наблюдать круговой дихроизм с двухфотонной линией поглощения в гетероструктуре.

  8. При этом поглощение поляризованного света осуществляется в два отдельных этапа, то есть в пространстве двумерных импульсов в направлении, перпендикулярном размерному квантованию, происходят оптические переходы между дискретными (размерно-квантованными) уровнями энергии в другое направление, как в объемном кристалле, и правила отбора в обеих стадиях разные.

Download 5,77 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish