Kimyoviy tarkibi bo'yicha

4.Legirlangan elementlarning payvandlash paytida strukturaviy o'zgarishlarga tasiri
Qizdirich va sovutish jarayonida asosiy tarkibiy o'zgarishlar quyidagilardir:
– donalar chegaralarini shakllantirish;
– donalar chegaralarini tekislash va ularning o‘sishi;
– kimyoviy elementlarning qayta taqsimlanishi;
– kristall panjara nuqsonlari zichligini qayta taqsimlash va o‘zgartirish.
Donalar chegarasining shakllanishi payvand choklarining kristallanish jarayonining yakuniy bosqichidir. Chegaralar bevosita birlamchi kristallarning o'zaro o'sishi, ularning panjaralarining buzilishi paytida hosil bo'ladi. O'sish zonalari kristallitlarning markaziy joylaridan Farqli o'qlarga ega bo'lgan aralashmalar bilan boyitilgan segregatsiya joylari sifatida aniqlanadi.
Chegaraviy qirqishning ta'siri buzilgan panjarali zonalarda ajralish natijasida aralashmalarning to'planishi bilan bog'liq.Sovutish paytida donalar chegaralarining holati, qoida tariqasida, ularning ko'chishi yoki polimorf o'zgarishlari natijasida o'zgaradi.
donalar o'sishi tizimning kamroq erkin energiya bilan yanada muvozanat holatiga erishish istagi bilan bog'liq. Ikkinchisiga chegaralarda to'lqinsimon bo'laklarning tekislanishi va donalaralar sonini kamaytirish, ya'ni ularning o'lchamlarini oshirish natijasida donalaralarning umumiy yuzasini kamaytirish orqali erishiladi.

Donalar chegaralarini tekislash sxemasi (a),

donalarning shakli va hajmining o'zgarishi (b)
5. Kristal panjaradagi nuqsonlarni qayta taqsimlash qizdirich jarayonida sodir bo'ladi.
Yuqori haroratlar (payvandlash, qotib qolish) yoki sovuq plastik deformatsiyadan (asosiy metall) tez sovutishdan so'ng muvozanat bo'lmagan holatda bo'lgan metallda, panjaraning kristall tuzilishidagi nuqsonlarning yuqori zichligi (bo'shliqlar, dislokatsiyalar). va boshqalar) kuzatiladi. Bu kuchning oshishiga va ba'zi jismoniy xususiyatlarning o'zgarishiga, masalan, elektr qarshiligining oshishiga olib keladi.
Bunday metall T ga qizdirilganda0,2 Tpl, unda tiklanish jarayonlari rivojlanadi. Uning hujayra tuzilishini o'zgartirmasdan davom etadigan birinchi bosqichi dam olish deb ataladi, ikkinchisi kam burchakli chegaralarning shakllanishi va ko'chishi bilan bog'liq poligonizatsiya deb ataladi.
Dam olish vaqtida bo'sh joylar dislokatsiyalarga, donalar chegaralariga va tashqi sirtlarga ko'chib o'tadi va u erda yo'q qilinadi. Interstitsial atomlar chekka dislokatsiyalarda va bo'sh joylarga duch kelganda yo'q qilinadi. Dam olish tezligi harorat va o'z-o'zidan diffuziyaning faollashuv energiyasiga bog'liq.
Boshqa dam olish jarayonlari dislokatsiyalarni qisman qayta tashkil etish va turli belgilardagi dislokatsiyalarni yo'q qilishdir. Dam olish natijasi elektr qarshiligini tiklash, ichki mikrokuchlanishlarning pasayishi va boshqalar.
Poligonizatsiya- qaytish bosqichi, bunda har bir kristall ichida dislokatsiyalarning siljishi va ko'tarilishi orqali yangi kam burchakli chegaralar hosil bo'ladi.