Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В 
РАБОТЕ 
2.1. Объекты исследований 
Для проведения исследований, определенных задачами данной 
диссертации были использованы три группы объектов. 
Первая 
группа, 
предназначенная 
для 
исследования 
процессов 
микрострктурирования системы SiO
2
/Si, представляющей собой кремниевые 
монокристаллические пластины с толщинами слоёв SiO
2
близкими к тем, 
которые используются в затворной композиции КМОП ИС серии 590. Так 
как именно на этих микросхемах предполагалось проверить исследование 
влияния лазерного излучения на параметры элементов. Первая группа 
включает в себя следующие образцы: 
1. Кремниевые пластины n-типа КЭФ 4.5 с удельным сопротивлением 

= 
4,5 Ом.см, ориентацией (100), диаметром 75 мм, с термически выращенным 
окислом толщиной 150 нм; 
2. Кремниевые пластины р-типа КДБ-10 с удельным сопротивлением 

= 
10 Ом.см, ориентацией (111), диаметром 75 мм, с термически выращенным 
окислом толщиной 150 нм. 
Вторая группа – тестовые МОП структуры, выполненные по технологии 
формирования затворной композиции КМОП ИС серии 590. Тестовые МОП 
структуры 
представляют 
собой 
МОП 
конденсаторы 
с 
площадью 
алюминиевого электрода 2,5.10
-3
см
2
, затвором из поликремния толщиной 
0,12 мкм, изготовленные на кремнии n-типа проводимости с удельным 
сопротивлением 7,5 Ом.см и толщиной термического окисла 120 нм. 
Наконец, третья группа образцов – кристаллы КМОП ИС серии 590, в 
состав которых входят различные тестовые элементы, в том числе p – 
канальные и n – канальные МОП транзисторы. В результате анализа 
тестовых элементов в кристаллах со схемами 590 серии в качестве 

---

40 
экспериментальных образцов были выбраны кристаллы микросхемы 
К590КН6.