Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния


Применение лазерного излучения для контроля и диагностики



Download 12,44 Mb.
Pdf ko'rish
bet15/42
Sana23.02.2022
Hajmi12,44 Mb.
#169857
TuriИсследование
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   42
Bog'liq
4 - Дисертация

1.5. Применение лазерного излучения для контроля и диагностики 
скрытых дефектов в изделях микроэлектроники 
имеют ряд ограничений в области визуализации микрообъектов [87]. 
Например, оптический и растровый электронный микроскопы обладают 
высокой разрешающей способностью, но они мало пригодны для изучения


35 
Ведущее место среди различных методов неразрешающего контроля 
занимают акустические методы. Для бесконтактного возбуждения и приема 
которое необходимо сфокусировать излучение [88]. 


g
s
g
s
g
s
g
s
c
k
L
,
,
,
,
2

где k
s,g 
— теплопроводность, ρ
s,g 
— плотность, с
s,g 
теплоемкость 
твердого тела и газа соответственно, ω — угловая частота модуляции. 
излучения. 


36 


37 
жидкостью. 
Эти 
требования 
исключаются 
при 
исследованиях 
с 
использованием ФАМ. 
 
Выводы к главе 1
Как видно из приведенного литературного обзора, к началу 
выполнения работы микроструктурирование кремния являлось предметом 
многочисленных экспериментальных и теоретических исследований. Для 
конкретных методов и определенных режимов ее микроструктурирования 
детализированы 
физико-химические 
процессы, 
ответственные 
за 
формирование наноструктур, а также механизмы их формирования. В 
настоящее время облучению системы SiO
2
/Si посвящено мало работ. 
Структурирование поверхности кремния и системы SiO
2
/Si под действием 
импульсов лазера наносекундной длительности исследовано недостаточно. 
По исследованию электрофизических свойств систем SiO
2
/Si после 
облучения имелись лишь единичные работы, в частности,
не исследовалось 
влияние вариации дозы облучения, например, частотой следования 
импульсов, а также влияния дальнодействия и отжига. Отсутствовали 
работы 
по 
влиянию 
лазерного 
излучения 
на 
эксплуатационные 
характеристики элементов МОП ИС. 
Основные элементы конструкций интегральных схем (ИС), такие, как 
структуры 
металл-диэлектрик-полупроводник 
(МДП-структуры), 
МОП 
транзистор, p-n переходы, хорошо изучены и весьма чувствительны к 
воздействиям различного рода, в том числе и лазерным. При изучении 
влияния лазерного излучения на характеристики полупроводниковых 


38 
структур использовали электрофизические методы, в основе которых лежат 
измерения зависимостей от напряжения величин их ёмкости и тока, т.е., 
вольт-фарадных (С–V) и вольт-амперных (I–V) характеристик. В некоторых 
исследований выявился неординарный результат: оказалось, что при 
определенных условиях электрофизические параметры тестовых элементов 
улучшаются. 
Поэтому окончательной целью данной работы стало определение 
таких режимов лазерного воздействия, при которых возможно его 
использование для управления параметрами полупроводниковых структур с 
целью повышения эксплуатационных характеристик полупроводниковых 
приборов и интегральных микросхем. 
Исходя из этого, были сформулированы следующие задачи настоящей 
работы: 
1. Проведение анализа методов и механизмов микроструктурирования 
кремния и системы SiO
2
/Si. 
2. Определение энергетических диапазонов лазерного воздействия, 
обеспечивающих структурную целостность плёнки SiO
2
при 
микроструктурировании системы. 
3. Исследование морфологии кремниевых структур, образующейся на 
поверхности системы SiO
2
/Si в результате лазерного облучения. 
4. Исследование электрофизических
эффектов, возникающих при 
лазерном микроструктурировании системы SiO
2
/Si и МОП структур. 
5. Исследование 
возможности 
создания 
технологии 
лазерного 
микроструктурирования на тестовых МОП-структурах и элементах 
серийных микросхем. 


39 

Download 12,44 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   42




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish