Iii bob. Yarimo’tkazgich moddalar

3.3.3. Galliy fosfidi (GaP) 

Galliy  fosfidi  yuqori  kimyoviy  barqarorlikka  ega:  u  700

0

C–800

0

C  gacha 

havodagi  kislorod  bilan  ta’sirlashmaydi:  ko’p  kislota  va  ishqor  eritmalarga 

nisbatan  ham  barqaror.  Galliy  fosfidining  erish  tezligi  azot  kislotada  (xona 

temperaturasida)  0.16  mg/sm

2

soat,  qaynayotgan  tuz  kislotada  (110

0

C)  0.01 

mg/sm

2

soat, nitrat va tuz kislotalari qaynayotgan (1:3) aralashmasida 7.8 mg/sm

2

. 

Kislotalar aralashmasiga vodorod peroksid qo’shilsa, GaP ning eruvchanligi keskin 

ortib ketadi.  

Galliy  fosfidi  kislotalarda  eriganida  kuchli  zaharlovchi  fosfin  PH

3

  ajraladi. 

V

III

B

A

 birikmalarning boshqalari ham kislotalar bilan ana shunday ta’sirlashadi.  

GaAs  va  InAs  -  apsin  AsH

3

;  InP  -  fosfin  PH

3

  va  InSb  -  stabin  SbH

3

  dan 

iborat zaharli moddalar ajratadi. 

Suyuq  GaP  barcha  konteyner  moddalari  bilan  faol  ta’sirlashadi,  chunki, 

uning  suyulish  temperaturasi  ~1500

0

C.    Polikristall  GaP  sintez  qilish  uchun  toza 

---

 

 

80 

grafit,  monokristall  GaP  sintez  qilish  uchun  esa  kvars  konteyner  vazifasini 

bajaradi.  

YArimo’tkazgich 

V

III

B

A

  birikmalarda  (GaAs,  GaP)  II  guruh  elementlari 

akseptor, VI guruh elementlari donor bo’ladi. 

IV guruh elementlari atomlari galliy atomlari o’rniga joylashgan bo’lsa, ular 

donor, agar fosfor arseniy o’rniga joylashsa, akseptor vazifasini o’taydi.  

Legirlanmagan  GaP  elektron  turdagi  o’tkazuvchanlikka  ega,  bunda 

n>

3

17

10



sm

, 

Vs

sm /

120

2





.  Te  va  S  bilan  legirlangan  GaP  kristallarida  asosiy 

zaryad tashuvchilar - elektronlar zichligi (

40

25

,

1



)∙

3

17

10



sm

, harakatchanligi (110-

60)·

.

/

2

Vs

sm

  Kovak  turdagi  GaP  da  kovaklar  harakatchanligi  20

.

/

2

Vs

sm

  Ba’zi 

kirishmali GaP ning solishtirma qarshiligi 

Om

6

10

∙ sm dan ortiq.