I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
9.9  § Fotolitografiya jarayoni 
 
 
FL jarayoni bir qancha operatsiyalardan iborat: 
 

plastinka  sirtini  tozalash.  Buning  uchun  suyuq  uch  xlor  etilenda  (C
2
Cl
3
H) 
yoki  uning  bug‘ida  yuviladi,  azot  kislotasida  (HNO
3
)  qaynatiladi.  Yuvish  uchun 
toluol (C
7
H
8
), amilatsetat, atseton (S
3
N
6
O) va etil spirti ishlatiladi.  
 

 FRni surish. Sentrofuga yordamida, purkash orqali, FR ga botirib va boshqa 
usullar bilan amalga oshiriladi. 
 

 FR qatlamini quritish. T=300 K da 15

30 minut, so‘ngra T=100

120 
0
C da 
30

60 minut oralig‘ida quritiladi. IQ nurda yoki vakuumda ham quritish mumkin. 
      -    Eksponirlash.  Kontaktli  usul  bilan  amalga  oshiriladi.  Yoritilganda  FR 
qatlamining xossasi o‘zgaradi. 
 
-  Ochiltirish  negativ  fotorezis  ishlatilsa  yoritilmagan  sohalar  organik 
eritgichlar:  toluol  (C
7
H
8
),  uchxlor  etilen  (C
2
Cl
3
H),  xlorbenzol  (C
6
H
5
Cl)  da  eritib 
yuboriladi. 

---

 
147 
Pozitiv  FR  larda  yoritilgan  sohalari  indenkarbon  kislota  eruvchan  tuzlarga 
aylanadi va kuchsiz (0,3 – 0,4)% li ishqorli NaOH yoki uch natriy fosfat eritmasida 
eritiladi. 
-  Mustahkamlash  -  rasm  hosil  qilingan  fotorezis  qatlamini  mustahkamlash 
uchun  ishlatilayotgan  FR  turiga  qarab  130
o
C  dan  260
o
C  gacha  oraliqdagi  haroratda 
bir soat davomida qizdiriladi. 
- Hosil qilingan rasmning geometrik o‘lchamlarini mikroskop ostida tekshirish: 
FL jarayonida eng ko‘p hosil bo‘ladigan nuqsonlari rasm chetlarining notekisligi, FR 
qatlamlarida teshiklar hosil bo‘lishi. 
-  SiO
2 
qatlamini  yemirish.  Bu  qatlamning  FR  bilan  himoyalanmagan  sohalari 
30gr NH
4
F + 60ml H
2
O + 9ml HF (48%) yemirgich yordamida yemiriladi. Tarkibida 
fosfor atomlari ko‘p bo‘lgan SiO
2
qatlamining  HF  da  yemirilish  tezligi  toza  SiO
2
  da 
borli SiO
2 
qatlamidan katta bo‘lgani uchun SiO
2 
qatlamini HF da yemirish maqsadga 
muvofiq emas. 
-Mustahkamlangan  fotorezis  qatlamini  ketkazish  uchun  sulfat  kislotada 
(H
2
SO
4
)  qaynatiladi  yoki  10%  li  ishqor  eritmasiga  solinadi.  Alyuminiy  qatlamini 
yemirish uchun negativ fotorezis bo‘lganda 5-20 % li NaOH  yoki KON ishlatiladi. 
Yemirish uchun  T=50-80 
0
C gacha qizdirish kerak bo‘ladi  va yemirish  tezligi 200 - 
500  A
0
/min  ni  tashkil  etadi.  Pozitiv  FR  bo‘lganda  alyuminiyni  yemirish  uchun 
ortofosfor  kislotasining  50  %  li  eritmasiga  solinib,  T=60-70 
0
C  gacha  qizdiriladi. 
Quyidagi yemirgichdan ham foydalanish mumkin: 
3.8 l FeCl
3
+360 mll 38% li HSl 
Xrom  qatlamini  yemirish  uchun  pozitiv  FR  bo‘lganda  kuchsiz  HCl  dan 
foydalanish mumkin. Yemirish tezligi katta bo‘ladi. Oltin  qatlamini yemirish uchun 
pozitiv FR bo‘lganda 1HNO
3
+3HCl yemirgichdan foydalaniladi.  
Tantal  qatlamini  yemirish  uchun  negativ  FR  qo‘llanilganda  avval  ishqorli 
eritmada  tantal  qatlamining  oksid  qatlami  yemiriladi,  so‘ngra  HF  li  yemirgichda 
tantal qatlamini yemiriladi.