Академия наук республики узбекистан

ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. 
   Эпитаксия твердых растворов на подложках кремния
   
2. 
   Исследование структурного совершенства твердого раствора на подложках кремния. ……………………………...78
   
3. 
   Некоторые электрические свойства твердого раствора . ………………………………………………………...81
   
4. 
   Фотоэлектрические и люминесцентные свойства твердого
   раствора . ……………………………………………...86
   
5. 
   Выводы. ……………………………………………………………...94
   

ГЛАВА IV. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. 
   Электронная зонная структура твердых растворов 96
   
2. 
   Плотность состояний. ……………………………………………..103
   
3. 
   Оптические свойства твердых растворов . ………...105
   
4. 
   Выводы. …………………………………………………………….114
   

ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………115


ЛИТЕРАТУРА ………………………………………………………………/119


ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………
Актуальность темы: Выращивание новых полупроводниковых материалов и исследование их свойств является актуальной задачей в области полупроводникового материаловедения.
С этой точки зрения весьма перспективными являются новые полупроводниковые твердые растворы с их уникальными физическими свойствами. В настоящее время интенсивно исследуются твердые растворы на основе элементарных полупроводников Si, Ge и соединений , . Такие твердые растворы обладают специфическими, присущими только им свойствами. Однако пока еще не изучены все возможности полупроводниковых твердых растворов, как в технологическом плане, так и в аспекте изучения их физических свойств.
В настоящее время отдельные полупроводниковые твердые растворы класса находятся на начальной стадии изучения, а некоторые полупроводниковые твердые растворы такого класса, предсказанные теоретически, экспериментально пока не получены вообще. Поэтому поиск технологических возможностей получения новых полупроводниковых твердых растворов с управляемыми составами, кристаллическим совершенством, с возможностями получения на их основе новых полупроводниковых структур представляется весьма актуальным направлением.
Наряду с другими методами получения полупроводниковых кристаллов и жидкофазная эпитаксия оказалась весьма перспективным методом не только для получения традиционных полупроводников как Si, Ge, , и их твердых растворов, но и для выращивания полупроводниковых твердых растворов новых классов.
Очевидно, что экспериментальный поиск способов получения всех возможных твердых растворов с полупроводниковыми свойствами методом проб и ошибок практически невозможен и требует больших материальных и энергетических затрат. Поэтому необходимо сузить круг компонентов, между которыми могут образоваться твердые растворы с удовлетворительным структурным совершенством. В этой связи представляется актуальным выяснение наиболее перспективных твердых растворов из класса и .
При анализе с помощью теории растворимости многокомпонентных систем выяснено, что система также входит в число самых перспективных пар в плане образования твердого раствора. К настоящему времени технология получения таких твердых растворов не разработана и, следовательно, их свойства не изучены. Решение этого вопроса позволило бы получить твердые растворы на основе InP, которые отличаются устойчивостью к воздействиям радиации и другими преимуществами.
Как известно, электрические, магнитные и другие свойства полупроводников определяются поведением их электронов. Микроскопическое поведение этих электронов наиболее удобно описывается в терминах электронной зонной структуры. В литературе практически отсутствуют сведения об электронных структурах твердых растворов класса .
Теоретическое исследование электронных свойств твердых растворов, которые получены в последнее время, не осуществлялось. Получение информации об электронных структурах этих материалов позволило бы объяснить их физико-химические свойства и определить самые перспективные в плане применения. Поэтому теоретически – групповой анализ электронных свойств твердых растворов представляет несомненный интерес.