Академия наук республики узбекистан

172, 175 (1991).

P. Hohenberg and W. Kohn// Inhomogeneous Electron Gas. Phys. Rev. B 136, 864 (1964).

W. Kohn and L. J. Sham // Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects Phys. Rev. 140, A1133 (1965).

S.H. Vosko, L. Wilk, M. Nusair. Canadian J. Phys., 58, 1200 (1980).

В.Гавриленко, А.Грехов, Оптические свойства полупроводников. Справочник, Киев, 1987г. стр. 243-250.

Ю. Питер, M. Кардона. Основы физики полупроводников. Москва. Наука. 2003г. стр.71.

Я.И. Виклюк, В.Г. Дейбук, С.В. Золотарев // Оптические свойства неупорядоченных объемных и эпитаксиальных полупровод-никовых сплавов Ga_xIn_1-xP. ФТП, 36(8), с.925-931 (2002).

L. Hedin // New Method for Calculating the One-Particle Green's Function with Application to the Electron-Gas Problem. Phys. Rev. 139, A796 (1965).

M. S. Hybertsen and S. G. Louie// First-Principles Theory of Quasiparticles: Calculation of Band Gaps in Semiconductors and Insulators. Phys. Rev. Lett. 55, 1418 (1985).

L. X. Benedict, E. L. Shirley, and R. B. Bohn // Theory of optical absorption in diamond, Si, Ge, and GaAs, Phys. Rev. B 57, R9385 (1998).

M. Willatzen, M. Cardona, and N. E. Christensen // Relativistic electronic structure, effective masses, and inversion-asymmetry effects of cubic silicon carbide (3C-SiC). Phys. Rev. B 51, 13150 (1995).

113. K. Kim, R. Walter, L. Lambrecht, B. Segall, and M. V. Schilfgaarde// Effective masses and valence-band splittings in GaN and AlN. Phys. Rev. B 56, 7363 (1997).